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*孔金属化目的：在基材表面沉积导电层，实现层间电气连接化学沉铜（ElectrolessCopper)ＰＴＨ：ＰlatingThroughHoles生产流程刷板?去钻污处理?化学沉铜刷板目的:1.去孔口毛刺2.板面清洁去钻污处理目的:1.去除内层铜箔残留的钻污,保证结合良好.2.改善孔壁结构,加强结合力.工艺流程:溶胀?去钻污?中和溶胀(Swelling)目的:使树脂表面膨胀,降低分子键能,利于去钻污反应的进行.工艺控制:温度60-80°C时间5-10min去钻污(Desmearing)目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去反应原理:MnO4+C+OH?MnO42-+CO2+2H2O副反应:MnO4-+OH-?MnO42-+O2+2H2OMnO42-+H20?MnO2+O2+2OH-工艺控制:温度75-85°C时间10-20min中和（Reducing)目的:将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、MnO2还原工艺控制:温度40-50°C时间4-8min化学沉铜工艺流程:调整?微蚀?预浸?催化?加速?沉铜调整（Conditioner)目的:调整孔壁电性，利于对胶体钯的吸附工艺控制:温度45-55°C时间4-8min微蚀（MicroEtch)目的:1.清洁板面2.板面形成粗糙结构,保证沉铜层与基材铜的结合力.反应原理:Cu+Na2S2O8?CuSO4+Na2SO4工艺控制:温度25-35°C时间1-3min预浸(Predip)目的:防止前工位处理对催化槽的污染工艺控制:温度常温时间1-2min催化（Ｃatalyst）目的:孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂钯胶体（Ｐd[SnCL3]n-)工艺控制:温度40-45°C时间4-6min钯胶体的水解:Ｐd（SnCL３）－＋Ｈ２Ｏ?Ｐd+Sn(OH)2+Sn(OH)4+CL-加速（Ａccelerator)目的:将钯Ｐd周围的Ｓn沉积物除去工艺控制:温度2０-3０°C时间３-５min反应原理:Sn(OH)2+Sn(OH)4+Ｈ-?Sn2++Sn4++H2O化学沉铜（ＥlectrolessCopper)反应原理:Cu2++2HCHO+4OH-PdCu+2HCOO-+2H20+H2反应特点:１.自身催化反应２.一定时间内沉积一定厚度的铜层工艺控制:温度３０-3５°C时间１４-１６min化学沉铜（ＥlectrolessCopper)主要副反应:Cu2++HCHO+OH-?Cu２O+HCOO-+H20Cu２O+H20?Cu+Cu2++OH-HCHO+OH-?HCOO-+CH3OH解决方法:１.维持鼓气２.加强过滤３.周期性维护沉铜槽品质控制１.背光检查:要求?８级２.沉铜厚度:０.３－０.５um３.去钻污厚度:０.２－０.２５mg/cm2４.层间结合:热冲击实验、金相切片问题及设备加工能力问题:１.孔内无金属２.孔壁粗糙３.层间分离加工能力:１.加工尺寸:２４“*４０”、板厚０.８－３.２mm、板厚孔径比１０:１２.最大加工产能３５０００m2/月化学沉铜工艺分类催化剂分类:１.胶体钯Ｐd（SnCL３）－２.离子钯Ｐd2+沉铜厚度分类:１.沉薄铜（０.３－０.５um）２.沉厚铜（１.２－２.５um）*
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