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第1章;?半导体材料的晶格结构

?电子和空穴的概念

?半导体的电性能和导电机理

?载流子的漂移运动和扩散运动

?非平衡载流子的产生和复合;半导体的晶格结构;;面心立方结构;金刚石结构;大量的硅（Si）、锗（Ge）原子靠共价键结合组合成晶体，每个原子周围都有四个最邻近的原子，组成正四面体结构，。这四个原子分别处在正四面体的四个顶角上，任一顶角上的原子各贡献一个价电子和中心原子的四个价电子分别组成电子对，作为两个原子所共有的价电子对。;闪锌矿结构;元素半导体;假使体心结构的原子是刚性的小球，且中心原子与立方体八个角落的原子紧密接触，试算出这些原子占此体心立方单胞的空间比率。

;练习;例1-2;晶体的各向异性;;晶面指数（密勒指数）;如图，晶面ACC’A’在坐标轴上的

截距为1，1，∞，

其倒数为1，1，0，

此平面用密勒指数表示为（110），

此晶面的晶向（晶列指数）即为[110]；

晶面ABB’A’用密勒指数表示为（）；

晶面D’AC用密勒指数表示为（）。;练习;晶列指数——晶向指数;晶面指数（密勒指数）;1.2;杂质与半导体;光照与半导体;其他因素与半导体;硅

（Si）;1.3;晶体中的电子;共有化运动;当原子之间距离逐步接近时，原子周围电子的能级逐步转变为能带，下图是金刚石结构能级向能带演变的示意图。;●允带;●导带;;●空穴;思考;图1-7一定温度下半导体的能带示意图;注意三个“准”;练习;1.4;;理论分析认为;金刚石结构的特点;两种杂质的特点;施主杂质和施主能级;多余的电子束缚在正电中心周围，但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很小的能量就可以使多余电子挣脱束缚，成为自由电子在晶格中运动，起到导电的作用。这时磷原子就成了一个少了一个价电子的磷离子，它是一个不能移动的正电中心。

多余电子脱离杂质原子成为导电电子的过程称为杂质电离。使这个多余电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能，用ΔED表示。

实验测得，Ⅴ族元素原子在硅、锗中的电离能很小（即多余电子很容易挣脱原子的束缚成为导电电子），在硅中电离能约为0.04~0.05eV，在锗中电离能约为0.01eV，???硅、锗的禁带宽度小得多。;Ⅴ族元素杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而

产生导电电子并形成正电中心。

施放电子的过程称为施主电离。

施主杂质在未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，

电离后成为正电中心，称为离化态。;;受主杂质和受主能级;多余的空穴束缚在负电中心周围，但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很小的能量就可以使多余空穴挣脱束缚，成为自由空穴在晶格中运动，起到导电的作用。这时硼原子就成了一个多了一个价电子的硼离子，它是一个不能移动的负电中心。

多余空穴脱离杂质原子成为导电空穴的过程称为杂质电离。使这个多余空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量称为杂质电离能，用ΔEA表示。

实验测得，Ⅲ族元素原子在硅、锗中的电离能很小（即多余空穴很容易挣脱原子的束缚成为导电空穴），在硅中约为0.045~0.065eV，在锗中约为0.01eV。;Ⅲ族元素杂质在硅、锗中能接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。;;综上所述;施主donor

受主acceptor;关于能带图;杂质的补偿作用;ND施主杂质浓度NA受主杂质浓度

n导带中的电子浓度p价带中的空穴浓度

假设施主和受主杂质全部电离时，分情况讨论杂质的补偿作用。;当ND?NA时，因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到受主能级上，填满NA个受主能级，还剩（ND-NA）个电子在施主能级上，在杂质全部电离的条件下，它们跃迁到导带中成为导电电子，这时，n=

ND-NA≈ND，半导体是N型的;情况二;有效杂质浓度;深能级杂质;半导体中的缺陷和缺陷能级;点缺陷;动态平衡;位错;练习;1.5;载流子的复合;在一定温度下，载流子产生和复合的过程建立起动态平衡，即单位时间内产生的电子-空穴对数等于复合掉的电子-空穴对数，称为热平衡状态。

这时，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值。处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。;实践表明，半导体的导电性与温度密切相关。实际上，这主要是由于半导体中的载流子浓度随温度剧烈变化所造成的。

所以，要深入了解半导体的导电性，必须研究半导体中载流子浓度随温度变化的规律。

因此，解决如何计算一定温度下，半导体中热平衡载流子浓度的问题成了本节的中心问题。;能量在E→E+