SJ∕T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范.docxVIP

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L44

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T9014.8.2—2018

半导体器件分立器件

第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应

晶体管空白详细规范

Semiconductordevices—Discretedevices

Part8-2:Blankdetailspecificationforsuperjunction

metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors

2018-04-30发布2018-07-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T9014.8.2—2018

前言

本规范是《半导体器件》系列国家标准之一。下面列出与本规范有关的已出版的《半导体器件》系列标准：

———半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则(GB/T17573—1998);——半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管(GB/T4586—1994);

——半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范(GB/T6219-1998)

——半导体器件第10部付：分立器件和集盛电规节(GBT4589.1—2006);

——半导体器件分立器件分规艳(GB/T12560—1999本规范按照GB/TI.1—2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些容有可能涉及专利。本文件的发布机构不应承具识别这些专利的责任。本规范由工业和合总化部电子工业标准化研究院归口。

本规范起草单西安新能源种按发意有限公司、上海言虹宏力半导体制造有限公司、华润上华科技有限公同、杜华微良子股份有限公司天水华天电子集组股份有限公司

本规范主要据草人：陈梁、周宏伟、工、肖魁、王新、卫兵。

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SJ/T9014.8.2—2018

半导体器件分立器件

第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

1范围

本规范规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。

本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。

2规范性引用文件

下列文件对于水文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅工日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文伴，其最新版木(包括所有的修改单)适用于本文化

GB/T24236—2006

GB/T2425.42008环)

GB/T2423.13—2008

电工电行产器环境第2部分：试会方法试验C定湿热试验

电1电子产品环境试除第2部分：试方法试验Pb变显热(12h+12h循

电试验第2部分：计方法试验da和导则，稳态加速度

GB/T2423.22—2012GB/T2423gL-2013GB/T2423082005GB/T242382008

强度

GB/T2424.1942Q05

环境试验第2部分：试验方法试验温度变化

环境试验第2部分试验学法试验密封

子产品环墙试验部分：验方法试验T

电工试验验方法试验引出端及整体安装件电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验则

GB/T4023-20半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4586—1994牢导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937.3—2012单导体器件机械和气候试验方法第3部分，外部目验

GB/T6219—1998半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单

栅场效应晶体管空白详细规范

GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸

GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范

GB/T29332—2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

3空白详细规范首页的说明

下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别：

[1]授权起草详细规范的行业标准机构名称。

[2]详细规范号。

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SJ/T9014.8.2—2018

[3]总规范号和分规范号以及年代号。

[4]详细规范号、发布日期和标准体系