霍尔效应测量磁场.pptVIP

NINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORYNINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORYNINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORYNINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORY一.霍尔效应测量磁场NINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORY在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量,测量磁场的方法有多种,如冲击电流计法、核磁共振法、天平法、电磁感应法、霍尔效应法等.本实验介绍霍尔效应法测磁场测量原理简单、方法简便、测试灵敏度较高NINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORY一.实验目的了解霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用了解载流线圈的径向磁场分布情况测量载流亥姆霍兹线圈的轴线上的磁场分布,进一步掌握磁场叠加知识NINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORY二.实验原理1.霍尔效应带电粒子在磁场中运动,受洛仑兹力的作用而引起偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横电场。如图所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X向通以电流Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。NINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORY电子积累达到动态平衡时,在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势差称为霍尔电势VH磁场B下，电子受洛仑兹力：fL=－evB电场E下，作用于电子的力：fE=-eEH=-eVH/l动态平衡时:fL=－fEvB=VH/l(1)则霍尔元件的工作电流为:Is=nevld(2)(3)v:电子速度,n:载流子浓度,l:霍尔元件宽度,d:霍尔元件厚度本实验中d=0.2mm，l=1.5mm，L=2.5mmNINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHEJIANGUNIVERSITYPHYSICSLABORATORYRH=l/ne称为霍尔系数当霍尔元件d和l确定时，元件的灵敏度KHKH=RH/d=l/nedVH=KHISB------------------------------------对于半导体材料，在弱磁场下,引入一个修正因子则材料的电导率，得到NINGBOINSTITUTEOFTECHNOLOGY,ZHE