国家标准《半导体器件-第5-7部分：光电子器件—光电二极管和光电晶体管》征求意见稿.docx

ICS31.260

L50

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

半导体器件第5-7部分：光电子器件-光电二极管和光电晶体管

SemiconductorDevices-Part5-7:Optoelectronicdevices-Photodiodesand

phototransistors

IEC60747-5-7:2016,IDT

(征求意见稿)

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上

XXXX-XX-XX实施

发

发布

中国国家标准化管理委员会

I

GB/TXXXXX—XXXX

目次

前言 I

1范围 1

2规范性引用文件 1

3物理概念 1

4器件类型 2

5一般术语 2

6额定值和特性 5

7光电二极管的基本额定值和特性 8

8光电晶体管的基本额定值和特性 9

9光敏器件的测试方法 10

附录A(资料性附录)交叉参考索引 15

参考文献 16

GB/TXXXXX—XXXX

II

前言

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由中国电子技术标准化研究院归口。

本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院、…………

本标准主要起草人：刘秀娟、赵英……………

GB/TXXXXX—XXXX

1

半导体器件第5-7部分：光电子器件-光电二极管和光电晶体管

1范围

IEC60747的这个部分规定了光电二极管(以下简称“PDs”)和光电晶体管(以下简称“PTs”)

的术语、基本额定值和特性以及测试方法。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

无。

3物理概念

3.1电磁辐射electromagneticradiation

辐射radiation

1)能量以与光子有关联的电磁波形式的发射或传播。

2)电磁波或光子。

[出处：IEC60050-845:1987,845-01-01,修订——删除了注解。]

3.2光学辐射opticalradiation

波长在向X射线过渡区(λ≈1nm)和向无线电波过渡区(λ≈1nm)之间的电磁辐射。[出处：IEC60050-845:1987,845-01-02]

3.3可见辐射visibleradiation

任何能够直接引起视觉的光学辐射。

注：可见辐射的光谱范围没有明确的接线，因为它取决于到达视网膜的辐射功率和观察者的响应度。下限一般在360nm和400mm之间，上限在760nm和830nm之间。

[出处：IEC60050-845:1987,845-01-03]

3.4红外辐射infraredradiation

波长大于可见辐射波长的光学辐射。

[出处：IEC60050-845:1987,845-01-04,修改——删除了注解]

3.5紫外辐射ultravioletradiation

波长小于可见辐射波长的光学辐射。

[出处：IEC60050-845:1987,845-01-05,修改——删除了注解]

2

GB/TXXXXX—XXXX

3.6光light

1)感知到的光

2)可见辐射

注：“light”一词有时在2)的含义上用于扩展到可见区之外的光学辐射，但这种用法不推荐使用。

[出处：IEC60050-845:1987,845-01-06,修改——删除了注解2,因为注解2不相关]

3.7光电效应

由于光与物质之间的相关作用，引起了光子的吸收，并随即产生可移动电荷载流子。因此产生电势或电流或电阻的变化，但不包括因温度变化而引起的某些电学现象。

4器件类型

4.1半导体光敏器件

利用光电效应来探测光辐射的半导体器件。

4.2半导体光电子器件

1)发射，探测及对相关光或非相干光辐射敏感的半导体器件。

2)其内部工作机理与光学辐射有关的半导体器件。

4.3光电二极管

在两种半导体之间的PN结区或在半导体与金属之间的结区，吸收光辐射而产