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ICS31.260
L50
中华人民共和国国家标准
GB/TXXXXX—XXXX
半导体器件第5-7部分:光电子器件-光电二极管和光电晶体管
SemiconductorDevices-Part5-7:Optoelectronicdevices-Photodiodesand
phototransistors
IEC60747-5-7:2016,IDT
(征求意见稿)
在提交反馈意见时,请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上
XXXX-XX-XX实施
发
发布
中国国家标准化管理委员会
I
GB/TXXXXX—XXXX
目次
前言 I
1范围 1
2规范性引用文件 1
3物理概念 1
4器件类型 2
5一般术语 2
6额定值和特性 5
7光电二极管的基本额定值和特性 8
8光电晶体管的基本额定值和特性 9
9光敏器件的测试方法 10
附录A(资料性附录)交叉参考索引 15
参考文献 16
GB/TXXXXX—XXXX
II
前言
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、…………
本标准主要起草人:刘秀娟、赵英……………
GB/TXXXXX—XXXX
1
半导体器件第5-7部分:光电子器件-光电二极管和光电晶体管
1范围
IEC60747的这个部分规定了光电二极管(以下简称“PDs”)和光电晶体管(以下简称“PTs”)
的术语、基本额定值和特性以及测试方法。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
无。
3物理概念
3.1电磁辐射electromagneticradiation
辐射radiation
1)能量以与光子有关联的电磁波形式的发射或传播。
2)电磁波或光子。
[出处:IEC60050-845:1987,845-01-01,修订——删除了注解。]
3.2光学辐射opticalradiation
波长在向X射线过渡区(λ≈1nm)和向无线电波过渡区(λ≈1nm)之间的电磁辐射。[出处:IEC60050-845:1987,845-01-02]
3.3可见辐射visibleradiation
任何能够直接引起视觉的光学辐射。
注:可见辐射的光谱范围没有明确的接线,因为它取决于到达视网膜的辐射功率和观察者的响应度。下限一般在360nm和400mm之间,上限在760nm和830nm之间。
[出处:IEC60050-845:1987,845-01-03]
3.4红外辐射infraredradiation
波长大于可见辐射波长的光学辐射。
[出处:IEC60050-845:1987,845-01-04,修改——删除了注解]
3.5紫外辐射ultravioletradiation
波长小于可见辐射波长的光学辐射。
[出处:IEC60050-845:1987,845-01-05,修改——删除了注解]
2
GB/TXXXXX—XXXX
3.6光light
1)感知到的光
2)可见辐射
注:“light”一词有时在2)的含义上用于扩展到可见区之外的光学辐射,但这种用法不推荐使用。
[出处:IEC60050-845:1987,845-01-06,修改——删除了注解2,因为注解2不相关]
3.7光电效应
由于光与物质之间的相关作用,引起了光子的吸收,并随即产生可移动电荷载流子。因此产生电势或电流或电阻的变化,但不包括因温度变化而引起的某些电学现象。
4器件类型
4.1半导体光敏器件
利用光电效应来探测光辐射的半导体器件。
4.2半导体光电子器件
1)发射,探测及对相关光或非相干光辐射敏感的半导体器件。
2)其内部工作机理与光学辐射有关的半导体器件。
4.3光电二极管
在两种半导体之间的PN结区或在半导体与金属之间的结区,吸收光辐射而产
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