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4.1(5.3)结型场效应管*4.2(5.4)砷化镓金属-半导体场效应管4.3(5.1)金属-氧化物-半导体场效应管4.4场效应管放大电路4.5各种放大器件电路性能比较

场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。主要用于大规模和超大规模集成电路中。常用于数字集成电路

场效应管分类：N沟道P沟道（耗尽型）JFET结型FETN沟道P沟道场效应管增强型MOSFET(IGFET)绝缘栅型耗尽型N沟道P沟道

4.1结型场效应管(JunctiontypeFieldEffectTransisstor)JFET的结构和工作原理?结构?工作原理JFET的特性曲线及参数?输出特性?转移特性?主要参数

场效应管场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。结型场效应管1.结构

4.1结型场效应管(5.3)JFET的结构和工作原理1.结构漏极，用D或d表示栅极，用G源极，用S或s表示或g表示N型导电沟道符号PP型型区区#符号中的箭头方向表示什么？

2.工作原理（以N沟道为例）vDS=0V时①V对沟道的控制作用GSiDPN结反偏，VGS越负,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。DvDSNNPNPGVGSS

V继续减小GSV达到一定值时耗尽GS区碰到一起，DS间的导电沟道被夹断。iDDVDSNG当沟道夹断时，对PP应的栅源电压V称为GS夹断电压V（或PV）。VGSGS(off)S对于N沟道的JFET，V0。P

②V对沟道的控制作用DSV=0V时DSV?i?当V=0时，DS?DGSiDG、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。DVDSNNPNPGVGSS

当V增加到使V=V时，越靠近漏端，PN结反压越大DS在紧靠漏极处出现预夹断。GDP此时V?iDD夹断区延长??沟D道电阻?SVDS?ID基本不变GPPVGSNS

V越小耗尽区越宽，沟道③V和V同时作用时GSGSDS越窄，电阻越大。i减小。D当VV0时，PGSiD导电沟道更容易夹断，D对于同样的V，i的值VDSDSD比V=0时的值要小。GSPP在预夹断处GV=V-V=VVGSGDGSDSPNS

4.1结型场效应管综上分析可知?沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。?JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此i?0，输入电阻很高。G?JFET是电压控制电流器件，i受v控制DGS?预夹断前i与v呈近似线性关系；预夹断后，DDSiD趋于饱和。#为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？

4.1结型场效应管4(5).1.2JFET的特性曲线及参数1.输出特性2.转移特性VP#JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？

4.1结型场效应管3.主要参数①夹断电压V(或V)：漏极电流约为零时的V值。PGS(off)GS②饱和漏极电流I：V=0时对应的漏极电流。DSSGSg③低频跨导g：低频跨导反映了对的控制作用。mmGSDvi可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。或④输出电阻rd：

4.1结型场效应管3.主要参数⑤直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，反偏时R约大于10Ω。7GS⑥最大漏源电压V(BR)DS⑦最大栅源电压V(BR)GS⑧最大漏极功耗PDM

小结（JFET管）1.N沟道结型场效应管的特性曲线iD转移特性曲线IDSS饱和漏极电流夹断电压vGSVP0

N沟道结型场效应管的特性曲线输出特性曲线iD予夹断曲线v=0VGS击穿区-1V可变电阻区-2V-3V恒流区-4V-5VvDS0夹断区

2P沟道结型场效应管D符号栅源端加正电压漏源端加负电压G转移特性曲线iSDvGS0VP夹断电压饱和漏极电流IDSS

P沟道结型场效应管输出特性曲线iD夹断区0vDS5V4V3V恒流区2V可变电阻区1Vv=0VGS予夹断曲线

结型场效应管的缺点：1.栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。2.在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。3.栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。*4.2砷化镓金属-半导体场效应管（Metal-SmeiconductorField-EffectTran