氮化镓功率器件偏置电路.pdfVIP

2018年7月25日现代信息科技Jul.2018

第2卷第7期ModernInformationTechnologyVol.2No.7

氮化镓功率器件偏置电路

谢路平

（，）

广州泰普通信系统有限公司广东广州510663

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摘要本文介绍一种有效的氮化镓偏置电路该电路不仅能够严格控制栅漏极的上下电顺序保证氮化镓功率器件可

，，，。

靠工作同时兼具栅压温度补偿功能保证器件的静态工作点稳定从而获得稳定的射频性能

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关键词氮化镓偏置电路栅压温补

：：：（）

中图分类号TN61文献标识码A文章编号2096-4706201807-0043-03

XIELuping

（GuangzhouTaiPuCommunicationSystemCo.，Ltd.，Guangzhou510663，China）

Abstract：Thepaperintroduceaneffectivegalliumnitridebiasingcircuit.Thiscircuitcannotonlystrictlycontroltheupperand

lowerelectricalorderofthegateanddrain，ensurethereliableworkoftheGaNpowerdevice，butalsohavethegatepressuretemperature

compensationfunction，whichensuresthestablestaticworkingpointofthedevice，thusobtainingstableRFperformance.

Keywords：galliumnitride；biascircuit；gatevoltagetemperaturecompensation

（）、

0引言GaNHEMT的漏极电流Ids受面电子迁移率漏极

、。