场效应管放大器教学课件.pptVIP

第三章场效应管放大器3.1场效应管§绝缘栅场效应管§结型场效应管3.2场效应管放大电路§效应管放大器的静态偏置§效应管放大器的交流小信号模型§效应管放大电路

3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(i~i)，工作时，多数载流BC子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(u~i)，工作时，只有一种载流子参与GS导电，因此它是单极型器件。DFET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。N沟道P沟道增强型绝缘栅场效应管N沟道P沟道耗尽型FET分类：N沟道结型场效应管P沟道

一.绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductorFET)，简称MOSFET。分为：增强型?N沟道、P沟道耗尽型?N沟道、P沟道1.N沟道增强型MOS管（1）结构4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B。符号：

（2）工作原理①栅源电压u的控制作用GS当u=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在dGS、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。当u＞0V时→纵向电场GS→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。再增加u→纵向电场↑GS→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流i。d

定义：开启电压（U）——刚刚产生沟道所需的T栅源电压U。GSN沟道增强型MOS管的基本特性：u＜U，管子截止，GSTu＞U，管子导通。GSTu越大，沟道越宽，在相同的漏源电压u作GSDS用下，漏极电流I越大。D

②转移特性曲线：i=f(u)?uDS=constDGS可根据输出特性曲线作出移特性曲线。例：作u=10V的一条转移特性曲线：DSUT

一个重要参数——跨导gm：(单位mS)g=?i/?u?uDS=constmDGSgm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，g为的曲线的斜率。m在输出特性曲线上也可求出g。m

2.N沟道耗尽型MOSFET在栅极下方的SiO层中掺入了大量的金属正离子。所以当2uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。特点：当u=0时，就有沟道，GS加入u就有i。DS，D当u＞0时，沟道增宽，GSiD进一步增加。当u＜0时，沟道变窄，GSiD减小。定义：夹断电压（U）——沟道刚刚消失所需的栅源电压u。GSP

3、P沟道耗尽型MOSFETP沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

4.MOS管的主要参数（1）开启电压UT（2）夹断电压UP（3）跨导g：g=?i/?u?u=constDSmmDGS（4）直流输入电阻R——栅源间的等效GS电阻。由于MOS管栅源间有sio绝缘层，2输入电阻可达10～1015。9

二.结型场效应管1.结型场效应管的结构（以N沟为例）：两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极：g：栅极d：漏极s：源极符号：N沟道P沟道

2.结型场效应管的工作原理（1）栅源电压对沟道的控制作用在栅源间加负电压u，令GSu=0DS①当u=0时，为平衡PN结，导电GS沟道最宽。②当│u│↑时，PN结反偏，耗尽层GS变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。③当│u│↑到一定值时，沟道会完GS全合拢。定义：夹断电压U——使导电沟道完全P合拢（消失）所需要的栅源电压u。GS

（2）漏源电压对沟道的控制作用在漏源间加电压u，令u=0DSGS由于u=0，所以导电沟道最宽。GS①当u=0时，i=0。DSD②u↑→i↑DSD→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。③当u↑，使u=u-u=U时，DSGDGSDSP在靠漏极处夹断——预夹断。④u再↑，预夹断点下移。DS预夹断前，u↑→i↑。DSD预夹断后，i↑→i几乎不变。DSD（3）栅源电压u和漏源电压u共同作用GSDSi=f（u、u）,可用输两组特性曲线来描绘。DGSDS

3、结型场效应三极管的特性曲线（1）输出特性曲线：i=f（u）│DuSGS=常数DGS设：U=-3VT

四个区：可变电阻区恒流区（a）可变电阻区（预夹断前）。击穿区（b）恒流区也称饱和区（预夹断后）。恒流区的特点：△i/△u=g≈常数DGSm截止区即：△i=g△uD（放大原理）mGS（c）夹断区（截止区）。（d）击穿区。

（2）转移特性曲线：i=f（u）│u=常数DGSD