有关多层流体对流的研究_刘秋生.pdf

第27卷第4期力学进展Vol.27No.4

1997年11月25日ADVANCESINMECHANICSNov.25,1997

有关多层流体对流的研究

刘秋生BernardRoux胡文瑞

中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京100080

InstitutdeMécaniquedesFluidesdeMarseille,CNRSUMR-34,Marseille,France.

摘要简述多层不相混流体系统的研究发展,尤其是在空间材料生长过程中的应用;介绍

多层流体系统内流体对流及传热现象,以及利用理论分析、实验研究和数值模拟方法研究二

层及三层流体内的自然对流及热毛细对流的成果,并分析探讨覆盖液体层对被覆盖液体的动

力控制特性及其系统的稳定性.

关键词流体力学,多层流,对流不稳定性,微重力,自然对流,热毛细对流(Marangoni对

流)

1引言

在自然界里和许多工程技术中,存在着多层不相混合流体系统中的热传递和质量传输

现象,例如,在地球地幔的对流中;在化学工程以及电影胶片生产过程中;在机械、冶金

工程和多层铸造工艺方法中,尤其是在微电子工业中的液体覆盖晶体生长工艺过程中.

近年来,由于生长高品质半导体晶体材料的需要,人们开始从理论和实验两方面研究

多层流体系统的流体对流和传热规律.并在微重力环境中,对该系统中由流体交界面上热

微应力引起的对流运动和多流体界面上热应力间的相互作用开展了研究.

本文将围绕液体覆盖晶体生长过程中的多层流体对流现象,分别介绍国际上对多层不

相混合流体系统的理论分析、数值模拟及实验观察的研究近况和发展.文章分为三部分,

第1节为概述,简要介绍晶体生长中的液体覆盖技术和其它领域中的多层流;第2节将介

绍外加温度梯度与流体交界面平行的多层流研究情况;第3节介绍外加温度梯度垂直于流

体交界面时的多层流体对流及传热的研究;最后一节为结束语.

2多层流体对流和流体界面现象

2.1晶体生长中的液体覆盖技术

为了避免某些人造晶体材料中所含有的挥发性成分的挥发,液体覆盖技术已长时间用

于Czochralski晶体生长方法(简称LEC方法).这种方法是由Metz等人[1]1962年最先提

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出的,并被应用于电子材料的生产制造,例如锌化锗被三氧化二硼液体覆盖的生长技

术[2].但是,由于坩埚的污染,使得用该方法获得的晶体纯度受到一定的限制.

液桥技术(FloatingZone)是一种生长高纯度半导体单晶体的方法,它避免了同坩埚

的接触.有许多文献论述了这种方法[3～7].该方法的一种变形并加上磁阻尼也同时被用

到微重力环境中[8].在微重力环境中,由于熔液中静压力和体积对流效应的明显减弱,

人们可以获得更大直径尺寸和更纯净的单晶体.有关在微重力环境下生长晶体的益处,

Carruthers[9]已经做了论述,并指出液浮桥(FZ)生长技术很适合搬到微重力环境中来.

Johnson[10]于1975年提出一种加有一层覆盖液体的液桥方法(LEFZ方法),采用在

三氧化二硼(BO)液体的包裹下地面生长锌化锗半导体材料(GaAs).1987年Barocela

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等人[11]建议在太空(微重力)环境中采用该方法生长锌化锗.其方法见图1(a).在

LEFZ方法的模型中,一层覆盖液体包裹着圆柱形被生长晶体原始棒料,并在覆盖液层之

外套加一个试管(一般为石英材质),以改善热浮区液桥稳定性.结晶过程的实现主要靠

一个外置圆环电热加热器,将试管连同结晶棒料以很慢的相对速度(每小时几厘米和几毫

米的位移量)穿过加热环.靠近加热环的结晶棒料及覆盖材料(常温下均为固态)的局部

被加热熔化,离开加热区之后重新冷却固化,