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半导体后道流程简介

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后道工艺流程总体简介上蜡减薄下蜡背面掩膜制备背孔刻蚀背金制备划片最终测试分选后道流程主要为以上8个步骤；后道使用的设备分别有：上蜡设备，减薄设备，热板，光刻设备，蒸镀设备，电镀设备，刻蚀设备，划片设备及测试分选设备。其中减薄工艺及划片工艺为后道工艺特有工艺。减薄设备与划片设备也成为后道工艺的特有设备。

减薄工艺介绍工艺流程如上。减薄工艺是根据不同材料（如Si，SiC，Al2O3等）选择不同磨料与材料接触并摩擦，摩擦的过程中磨料对材料产生切削作用，从而到达减薄或抛光的目的。常用的磨料根据材料及目的不同而不同。减薄目的：砂轮，磨盘加磨料（金刚石粉等）抛光目的：粗抛常用磨盘加磨料（高目数磨料），精抛常用磨盘加抛光垫加磨料（精抛磨料如高目数的SiO磨料或Al2O3磨料等）。工艺要点：上蜡平整度：关系到最终晶圆厚度均匀性。移除率确认：关系到制程时间，同时影响下蜡时的破片率。下蜡手法：关系到破片率。工艺面平整度：关系到后续通孔工艺实施难易程度。上蜡减薄下蜡

背孔工艺介绍背孔工艺流程如上。背孔工艺：因器件特性需求，背孔工艺可减少因源极接地时引入的加大串联电感，从而减少一定量因此而产生的负反馈。工艺要点：刻蚀孔道定位：若发生偏差将影响背金与源极接触。刻蚀掩膜选择：要求选择刻蚀选择比大的材料做掩膜。刻蚀