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第8章损耗与散热设计

开关电源是功率设备，功率元器件损耗大，损耗引起发热，导致元器件温度升高，为了使元器件温度不超过最高允许温度，必须将元器件的热量传输出去，需要散热器和良好的散热措施，设备的体积重量受到损耗限制。同时，输出一定功率时损耗大，也意味着效率低。

热传输

电子元器件功率损耗以热的形式表现出来，热能积累增加元器件内部结构温度，元器件内部温度受最高允许温度限制，必须将内部热量散发到环境中，热量通过传导、对流和辐射传输。当损耗功率与耗散到环境的功率相等时，内部温度达到稳态。

传导

T1A能量流（功率）T

T

1

A

能量流（功率）

T

的位置的传输过程，如图8-1固体内的热传输。热量从表面温度为T

的一端全部传递到温度为T

2

率表示为

1

的另一端，单位时间传递的能量，即功

P

?A(T?T) ?T

P??1 2 ?

l R

T

式中

（8-1）

2

图8-1热隔离的棒能量传输

lTR ??A （8-2）

l

T

称为热阻（℃/W）；l－热导体传输路径长度(m)；A－垂直于热传输路径的导体截面积(m2)；λ－棒材

Δ料的热导率(W/m℃)，含90%铝的热导率为220W/m℃，几种材料的热导率如表8-1所示;T＝T－T

Δ

1 2

温度差(℃)。

材料空 气2.4

材料

空 气

2.4×10-2

铝

氧化铝 氧化铍

铜

环氧树脂

铁

金

云母

硅橡胶

λ(W/m℃)

225

20

208

401

0.3

71

339

0.43

0.26

例：氧化铝绝缘垫片厚度为0.5mm，截面积2.5cm2，求热阻。解：由表8-1查得λ＝20W/m℃，根据式（8-2）得到

R? 0.5?10?3 ?0.1℃/W

t 20?2.5?10?4

式（8-1）类似电路中欧姆定律：功率P相当于电路中电流， Ts

Δ温度差 T相当于电路中电压。 T

Δ

a

半导体结的热量传输到周围空气必然经过几种不同材料传

输，每种材料有自己的热导率，截面积和长度，多层材料的热传 T

输可以建立热电模拟的热路图。图8-2是功率器件由硅芯片的热 c

传到环境的热通路(a)和等效热路(b)。由结到环境的总热阻为

T

j

(a)

R R R

热流P

R ?R ?R ?R

js jc cs sa

（8-3） T jc cs sa

T T +

T T +

上式右边前两个热阻可以按式（8-2）计算，最后一项的热阻在以 P Ta

后介绍的方法计算。如果功率器件损耗功率为P，则结温为 -

T ?P(R ?R

j jc cs

R )?T

sa a

（8-4）

(b)

图8-2功率器件热传输和等效热路图

式中R，R

jc cs

及R 分别表示芯片结到管壳，管壳到散热器和散热

sa

器到环境热阻。除了散热器到环境的热阻R

sa

外，其余两个热阻可以按式(8-2)计算。

从式（8-4）可见，要使结温T

j

不超过最高允许温度T

，应当器件降低功耗P，或者减少热阻。

jM

一定的封装，决定了管壳和芯片结构，也就决定了结到壳的内热阻R

jc

。如果希望R

jc

小，热传输路径l

要尽可能短，但受到器件承受的电压、机械平整度等限制；还要使传输截面积尽可能大，但这受到例

如寄生电容等限制。

封装一般采用高热导率材料减小热阻。高功率器件直接安装在空气冷却，甚至水冷散热器上。尽

量减少结到壳热阻R

，一般可以小于1W/℃。

jc

手册中常给出结到壳热阻R

，最高允许结温T

jc jM

和最大允许损耗P

M

，或最高允许结温T

jM

最大允

许功率损耗P

M

和允许壳温T。如果是后者，根据已知数据就可以知道结到壳热阻

c

T ?T

R ? jM c

W/℃ （8-5）

jc P

M

壳到散热器通常有一层绝缘导热垫片，绝缘垫片可以用氧化铝、氧化铍、云母或其他绝缘导热材

料。壳到散热器热阻R

cs

包含两部分：绝缘垫片热阻和接触热阻。绝缘导热垫片热阻可按式（8-2）计

算。例如用于TO－3封装的75μm绝缘云母片热阻大约1.3℃/W。但是，固体表面再好精加工，表面

总是点接触，存在很大接触热阻，应当施加适当的装配压力，增大接触面，即便如此，表面之间仍有空气隙存在，对热阻影响很大。太大的压力会使器件内部结构变形，可能适得其反,一般使用力矩板手保证确定的压力，又不致器件安装变形。同时，材料接触表面应当平整、无瘤、坑，并在适当压力的前提下，绝缘垫片涂有混合导热良好氧化锌的硅脂，驱赶表面间空气，使接触热阻下降 50%～30%。TO3封装当涂有硅脂或导热材料时热阻大约0.4℃/W。如果应用复合