- 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
ICS77.040CCSH21
中华人民共和国国家标准
GB/T43894.1—2024
半导体晶片近边缘几何形态评价
第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—Part1:Measuredheightdataarrayusingacurvaturemetric(ZDD)
2024-04-25发布2024-11-01实施
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布
Ⅰ
GB/T43894.1—2024
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第1部分。GB/T43894已经发布了以下部分:
—第1部分:高度径向二阶导数(ZDD)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司。
本文件主要起草人:王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江。
Ⅱ
GB/T43894.1—2024
引言
随着硅片直径的增加和线宽的不断降低,对硅片几何参数的要求也在不断提高。硅片的近边缘区域是影响硅片几何参数的重要因素,目前大直径硅片近边缘区域的厚度、平整度等形态的控制难度较大,因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态,对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成品率,促进技术代的升级有着重要的意义。该系列标准目前主要用于硅片,其区域的划分和计算可推广至其他半导体材料晶片。GB/T43894拟由四个部分构成。
—第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)。目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近边缘几何形态。
—第2部分:边缘卷曲法(ROA)。目的在于使用利用边缘卷曲度评价半导体晶片近边缘几何
形态。
—第3部分:扇形区域局部平整度法。目的在于获得近边缘扇形区域平整度进而评价近边缘几何形态。
—第4部分:不完整区域的局部平整度法。目的在于获得近边缘不完整区域的局部平整度进而评价近边缘几何形态。
该系列标准从不同的测试区域,用不同的计算方法得到了对晶片近边缘区域几何参数的量化评价,有效地评价和管控了晶片的近边缘区域几何形态。本文件在制定过程中融入了多年来测试、校准经验,本文件的制定对发展我国大直径、高质量半导体硅片,彻底摆脱在半导体材料和器件方面的落后状态,有着非常重要的意义。
1
GB/T43894.1—2024
半导体晶片近边缘几何形态评价
第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
1范围
本文件描述了一系列高度径向二阶导数法(ZDD)评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。
本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片,也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
注:目前该方法主要用于直径300mm的硅片。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264半导体材料术语
GB/T16596确定晶片坐标系规范
GB/T25915.1—2021洁净室及相关受控环境第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级
GB/T34479硅片字母数字标志规范
3术语和定义
GB/T14264界定的及下列术语和定义适用于本文件。3.1
近边缘曲率near-edgecurvature
使用晶
您可能关注的文档
- GB 19577-2024热泵和冷水机组能效限定值及能效等级.docx
- GB_T 223.60-2024钢铁及合金 硅含量的测定 重量法.docx
- GB_T 1361-2024铁矿石分析方法总则及一般规定.docx
- GB_T 3880.2-2024一般工业用铝及铝合金板、带材 第 2 部分力学性能.docx
- GB_T 3880.3-2024一般工业用铝及铝合金板、带材 第 3 部分尺寸偏差.docx
- GB_T 4701.12-2024钛铁 钛含量的测定 二安替吡啉甲烷分光光度法.docx
- GB_T 4701.13-2024钛铁 硅、锰、磷、铬、铝、镁、铜、钒、镍含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法.docx
- GB_T 5275.1-2024气体分析 动态法制备校准用混合气体 第 1 部分通用要求.docx
- GB_T 6568-2024带电作业用屏蔽服装.docx
- GB_T 11091-2024电缆用铜带箔材.docx
文档评论(0)