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摘要
摘要
随着第三代半导体基于无铅和耐高温发展的双重要求，对封装材料以及封装技术
的要求越来越高。银烧结焊料和银烧结互连技术随之发展，成为了理想的芯片焊接技
术之一，可代替传统焊料进行高温应用。然而，银颗粒形貌的不易控制、合成成本高，
银膏的制备、保存和工艺可靠性等一系列问题仍然是推广应用银烧结的主要矛盾，为
了顺应封装材料的发展，亟需开发出形貌结构可控，易于烧结的银颗粒；同时需要优
化银膏的核心配方，提高连接可靠性，以推广银烧
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