GBT-半导体器件 第3部分：分立器件 信号、开关和调整二极管.pdf

ICS31.080.10

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/T6571—XXXX/IEC60747-3:2013

代替GB/T6571-1995

`

半导体器件分立器件

第3部分：信号、开关和调整二极管

Semiconductordevices-Discretedevices-Part3:Signal,switching

andregulatordiodes

(IEC60747-32013IDT)

：，

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/T6571—XXXX/IEC60747-3:2013

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》给出的

规则起草。

本文件是《半导体器件分立器件》的第3部分，《半导体器件分立器件》已经发布了以下部分：

——第1部分：总则；

——第2部分:整流二极管；

——第2-1部分：100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范；

——第2-2部分：大于100A,环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范；

——第3部分：信号（包括开关）二极管和调整二极管；

——第3-1部分：信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范；

——第3-2部分：信号（包括开关）二极管和调整二极管电压调整二极管电压基准二极管（不包

括温度补偿精确基准二极管）空白详细规范；

——第4部分:微波器件；

——第4-1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管详细规范；

——第6部分:晶闸管；

——第6-1部分：100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范；

——第6-2部分：100A以下环境或管壳额定双向三极闸流晶体管空白详细规范；

——第6-3部分：电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范；

——第7部分:双极型晶体管；

——第7-1部分：高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范；

——第7-2部分：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范；

——第7-3部分：开关用双极型晶体管空白详细规范；

——第7-4部分：高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范；

——第8部分：场效应晶体管；

——第8-1部分：1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范；

——第8-3部分：管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范；

——第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）；

——第10部分:分立器件和集成电路总规范；

——第11部分：分立器件分规范。

本文件代替GB/T6571—1995《半导体器件分立器件第2部分：信号（包括开关）和调整二极管》。

本文件与GB/T6571-1995相比主要变化如下：

——编写规则和采用IEC标准的版本不同：GB/T6571-1995是未按照按照GB/T1的起草规则编写，

等同采用IEC747-3-1985；本文件是按照GB/T1.1-2020，等同采用IEC60747-3-2013。

——内容结构编排不同：GB/T6571-1995采用章、节、条编号；本文件采用章、条、项编号，“引

言”在正文前单独为