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MOCVD操作流程

一、准备

1、挂水牌，开循环水（0.2）

2、打开总电源F，打开E（机械泵、烘烤箱），开温控电源预热

3、样品降到1.1cm

4、开三相电源

5、开冷阱

6、插空气压缩机电源

7、开C，VENT泵

注：4是为看高能准备的，5是为镓源，6为抽气准备

二、装样

1、确认阀1、3是关的

2、充入N：打开N源阀、打开4阀（N进入装样室）

22

3、打开门放样

4、关闭4阀，关闭N源

2

三、抽装样室真空、送样

1、确定3、4是关着的打开1（确定蝶阀2是关着，垂直是关）

2、打开机械泵（10min后开真空计看装样室真空）

3、待慢开3阀时真空示数升上时，关真空计，完全打开3阀

4、送样杆送样，打开E镀膜室灯，调节烘烤旋钮使电压至80左右

（切记须小于100），机械手转样，样品台升至需要位置

5、抽出送样杆，关3阀关1阀，调节烘烤旋钮至0，关镀膜室灯

四、开分子泵

1、开蝶阀2，开KYKY处总电源预热

2、真空计打到镀膜室一侧，看镀膜室真空低于5Pa时，按KYKY

处Start启动分子泵

3、开设备后边闸板阀

-4

4、看真空到10Pa时，可看高能

五、看RHEED，依照高压电源侧边贴的操作流程操作

六、抽管道

1、确定C处VENT泵开着，开VENT泵蝶阀、旋开TMGa旋钮

2、开Q电源，打开流量计，将旋钮旋至10最大抽管道里的H，

2

待抽至0.18以下将流量计打到关闭档。在MO源处开4关4开

3关3往复3、4次最终3、4阀都是关着的，打开流量计继续

抽H

2

3、每天开始试验前、关设备前个抽三次管道

七、升温

1、打开D温控电源预热，长按右下角RUN键使RUN灯亮，扳到工

作档

2、依照D上的操作流程升温至清洗温度

八、清洗

1、将H调至所需流量

2

2、开微波源，确定真空计关着

3、编程

4、1min后开H流量计

2

5、打开报警，记下时间

6、将反射调至最低

九、氮化

1、开微波源

2、编程

3、开N，切记指针不得超过3否则会冲坏流量计

2

4、启动后旋至120左右放电，旋回所需值

5、打开报警，记下时间

-4

6、完毕后，开真空计，真空抽至10关N

十、生长缓冲层

1、Q处打到关闭档，开镓源（可提前10min开稳定流量）先2后

1再4

2、Q处将流量调至所需值，打到阀控档

3、看真空，达到需要值后关真空计

4、编程

5、打开N先调至120左右放电后调至所需值

6、将反射调至最低

7、C处打到RUN一侧，开报警，记下时间

8、长缓冲层（一般30min）此时可关掉VRNT

9、完毕后对C：开VENT，达到VENT一侧

-4

10、完毕后，开真空计，真空抽至10关N，看RHEED

11、升温至生长温度

十一、生长

1、温度达到后，将Q处镓调至生长所需流量

2、编程

3、开N

4、启动后反射调至最