ARM课件第9章S3C44B0_2410硬件结构与关键技术分析(1).pptVIP

9.2.4 S3C44B0/S3C2410存储器接口时序分析SDRAM接口 多存储器结构，内含2个交错的存储阵列单片16位SDRAM存储器接口9.2.4 S3C44B0/S3C2410存储器接口时序分析SDRAM接口2片16位SDRAM存储器接口9.2.5 S3C44B0/S3C2410存储控制寄存器1.总线宽度和等待控制寄存器（BWSCON，1个）在存储控制器中，所有类型的主时钟都对应着总线时钟，例如在DRAM和SRAM中的MCLK与总线时钟相同，SDRAM中的SCLK也与总线时钟相同。在存储控制器这里，一个时钟就表示一个总线时钟。DWSCON详细位信息见教材《ARM嵌入式系统结构与编程》227页表9-616位SRAM高/低字节使能：SDRAM为0/SRAM为19.2.5 S3C44B0/S3C2410存储控制寄存器2．总线控制寄存器（8个）作用：设置访问各Bank时总线控制信号特性（1）（BANKCONn：nGCS0-nGCS5）：9.2.5 S3C44B0/S3C2410存储控制寄存器（1）（BANKCONn：nGCS0-nGCS5）：9.2.5 S3C44B0/S3C2410存储控制寄存器（2）BANK控制寄存器（BANKCONn?：nGCS6-nGCS7）总线控制寄存器BANKCON6、BANKCON7位信息如表9-8所示。9.6.3S3C44B0/S3C2410中断控制特殊功能寄存器9.5.2端口控制寄存器11.外部中断控制寄存器:设置中断触发方式Torecognizethelevelinterrupt,thevalidlogiclevelonEXTINTnpinmustberetainedatleastfor40nsbecauseofthenoisefilter(ENTINT[15:0]).9.5.2端口控制寄存器11.外部中断控制寄存器…………9.5.2端口控制寄存器12.外部中断滤波寄存器：控制EINT[23：16]滤波长度9.5.2端口控制寄存器13.外部中断屏蔽寄存器EINTMASK：是否允许外部中断EINT[23：4]，0—允许、1—屏蔽14.外部中断等待寄存器EINTPEND(EINT[23：4])：记录是否有未处理的外部中断请求，0—无请求、1—请求。可以通过对寄存器相应位写入1来清除特定位。S3C2410X中断处理程序实例2、寄存器设置（1）配置GPF0、GPG3管脚为中断属性。将GPFCON的[1:0]设置为“10”从而将GPF0配置为EINT0属性将GPGCON的[7:6]置为“10”从而将GPG3配置为EINT11属性（2）配置EINT0、EINT11为下降沿触发方式。将EXTINT0的[2:0]设置为“010”将EXTINT1的[14:12]设置为“010”（3）初始化EINTPEND、SRCPND、INTPND挂起寄存器中对应外部中断0和11的位。设置EINTPEND的[11]为0。设置SRCPND的[0]和[5]设置为0；设置INTPND的[0]和[5]设置为0；*S3C2410X中断处理程序实例2、寄存器设置（4）打开EINTMASK和INTMSK中对应外部中断0和11的屏蔽位。设置EINTMASK的[11]位为0；设置INTMSK的[0]和[5]为0；按上面的步骤配置完寄存器后，就可以响应中断了。当然还需要正确注册你的中断处理函数。*S3C2410X中断处理程序实例3、程序编写（1）相关寄存器定义#definerGPFCON(*(volatileunsigned*)0//端口F的控制寄存器#definerGPGCON(*(volatileunsigned*)0//端口G的控制寄存器#definerEXTINT0(*(volatileunsigned*)0//外部中断控制寄存器0#definerEXTINT1(*(volatileunsigned*)0x5600008c)//外部中断控制寄存器1#definerEINTMASK(*(volatileunsigned*)0x560000a4)//外部中断屏蔽寄存器#definerEINTPEND(*(volatileunsigned*)0x560000a8)//