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摘要
摘要
随着微电子封装技术的飞速发展,对存储器封装提出更高的要求。三维封装技
术的出现,能够使多个功能不同的器件在一个封装体中集成,从而减小封装尺寸,
进一步提高封装集成度,因此三维封装技术被广泛应用于存储器封装。后固化工艺
过程中,由于环氧塑封料具有独特的力学性质,存储芯片容易出现翘曲、界面分层
等可靠性问题,在实际应用时还必须充分考虑存储器因自身功耗因素而造成的高结
温和翘曲等问题。
本文选取超薄存储芯片交错
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