兆易创新公司深度报告：存储%2bMCU国内龙头，自研DRAM打开成长空间.pdf

公司深度报告

目录

1、公司概况：NOR+MCU双龙头，多元产品协同发展4

1.1、业务概况：以存储为基，持续丰富产品生态体系4

1.2、财务表现：短期扰动不改长期成长，专注研发公司成长动能充足7

2、存储芯片：NORFlash为基，自研DRAM打开成长空间9

2.1、行业概况：半导体重要分支，国产替代空间庞大9

2.2、业务分析：NORFlash稳健增长，利基型DRAM有望迎来突破12

2.2.1、NORFlash：物联网应用带来增长新动能，海外龙头淡出国产替代正当时12

2.2.2、利基型DRAM：背靠长鑫存储，自研业务已全面加速14

2.2.3、SLCNAND：立足利基市场，产品制程不断提升17

2.2.4、车规产品：汽车智能化浪潮推动，公司车规存储业务高速发展18

3、MCU：国产替代空间广阔，车规赛道重点发力19

3.1、行业概况：市场稳健增长，国产替代空间广阔19

3.1.1、简介：芯片级计算机，32位为未来主流发展趋势19

3.1.2、下游：汽车电子为MCU下游主要市场，未来成长动力充足20

3.1.3、格局：国外龙头垄断，本土企业逐步崛起21

3.2、业务分析：市场地位不断提高，车规级赛道重点发力22

4、盈利预测与估值25

4.1、盈利预测25

5、风险提示27

附：财务预测摘要28

图表目录

图1：存储器起家，持续打造“感存算控连”一体化产品生态4

图2：兆易创新产品生态完善，多类产品有效协同5

图3：公司以存储芯片和MCU业务为主（按2023年营收测算）5

图4：公司采用Fabless模式，专注于芯片设计与销售环节6

图5：公司股权结构较为分散，创始人朱一明先生为实际控制人6

图6：2024Q1营收触底回弹（YoY+21.3%）7

图7：2024Q1归母净利润同比显著增长（YoY+36.5%）7

图8：2024Q1盈利能力显著改善7

图9：2023年以来研发费用率明显提升7

图10：2016-2023年公司研发支出持续增长8

图11：2023年公司研发人数占比近7成8

图12：存储芯片分为易失性存储器和非易失性存储器9

图13：NANDFLASH和NORFlash性能优势各不相同10

图14：2021-2027全球存储市场预计高速增长（十亿美元）10

图15：存储板块周期波动程度大于整个半导体行业11

图16：2023H2以来DXI指数反弹明显11

图17：利基型产品（以DDR3为例）价格仍在历史底部11

图18：2021-2027年NORFlash市场空间有望持续提升12

图19：龙头逐渐淡出，NORFlash市场目前以大陆及中国台湾厂商为主12

图20：NORFlash产品布局全面，可满足用户的多样化需求13

图21：DDR3价格仍处于历史绝对底部15

图22：合肥长鑫产品制程高速推进，与海外龙头差距逐渐缩小16

图23：朱一明先生为两家公司主要负责人，为深度合作奠定坚实基础16

图24：存储单元密度越大成本越低，但稳定性较差17

图25：2024年全球SLCNAND市场规模预计23亿美元17

图26：SLCNAND价格仍处于历史绝对低位17

图27：NORFlash在汽车电子中应用广泛18

图28：