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测试三
一、名词解释（每小题3分，共18分）
1．同质多晶现象
2．静电键强度
3．非均态核化
4．结构驰豫
5．重构表面
6．不一致熔融化合物
二、填空（每小题2分，共20分）
1.在O2－作面心立方密堆积的晶体中，为获得稳定结构，正离子将所有八面体空隙均填满的晶体有__；填满一半四面体空隙的晶体有
_（请各举一例）。它们分别属于和_型结构。
_
2.反尖晶石的表达式可写成，其中填入的四面体空隙，填充的八面体空隙，单位结构内含有个分子数。
3.下列硅酸盐晶体矿物：Ca[AlSiO]、KAl[AlSiO](OH)、BeAl[SiO]、CaMg[SiO](OH)分别属于、、和结构。
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4.已知MgO晶体的肖特基缺陷生成能为6ev，则该晶体在1600℃时的空位浓度为。
5.加ThF4到CaF2中形成间隙型固溶体，则缺陷反应方程式为，固溶体分子式为。
6.化合物TiO由于在组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是，属于型非化学计量化合物，应在气氛下形成。
2－X
7.晶体线缺陷中，位错线与滑移方向平行的是，用符号表示，产生原因为。
8.粘土粒子破键引起的荷电与介质的pH值有关，高岭土在酸性介质中边棱带电荷；在碱性介质中边棱带电荷。
9.一种玻璃的摩尔组成为30mol％NaO·10mol％AlO·60mol％SiO，则四个基本结构参数分别为Z＝，R＝，X＝
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，Y＝。
10.三种典型离子化合物PbI、PbF、CaF的比表面能分别为1.3×10－5J/m2、9.0×10－5J/m2、25.0×10－5J/m2，由此可以预计这三种化合物的表面双电
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.专业资料.
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层厚度的大小次序为。
三、选择（每小题2分，共22分）
1．
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