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第二章PN结
填空题
16-3
1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N=1.5×10cm，则室温下该区的平衡多子浓度p与平衡少子
Ap0
浓度n分别为（）和（）。
p0
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）
区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则
内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V就越（），
bi
反向饱和电流I就越（），势垒电容C就越（），雪崩击穿电压就越（）。
0T
5、硅突变结内建电势V可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
bi
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n与外加电压V之间的关系可表示为（）。若
p
17-3
P型区的掺杂浓度N=1.5×10cm，外加电压V=0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n为（）。
Ap
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN
结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电
流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。每经过一个
扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。这个表达式在正向电压下可简化为（），
在反向电压下可简化为（）。
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（
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