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实验一：NMOS管的I-V特性曲线仿真

一、实验目的和任务

1、掌握HSPICE线路模拟软件的使用方法。

2、掌握HSPICE语言，可以熟练使用。

3、验证NMOS管的I-V特性曲线。

二、实验相关知识

1、HSPICE软件的简单介绍

HSIPCE线路模拟软件在早期是美国Meta-Software公司根据

BerkeleySPICE2G.6、SPICE3及其他线路模拟软件所发展的工业级

线路分析软件。HSPICE在基本功能部分和其他SPICE软件相似，可

应用于下列领域的电子电路研发，即稳态（直流分析）、暂态（时间

分析）及频率（交流分析）等领域。

2、NMOS管I-V特性的推导

先定性了解NMOS管的I-V特性，如果栅源偏置电压大于NMOS

管的阈值电压,则在P型衬底的表面由于静电感应会产生大量的

电子，形成导电沟道。当漏区相对于源区电压加正电压时，器件

内部的沟道中就会产生电流，即。

1)非饱和区的I-V特性。

此时，漏电流为：

式中为沿电流方向的电荷密度，v表示电荷的移动速度。

由的表达式可知的表达式：

其中，负号是因为载流子电荷为负而引入的，v表示沟道电子的漂移

速度。对于半导体，，其中是载流子的迁移率，为电场。

注意到，电子迁移率用表示，得到：

为了求得，将式(1.3)两端乘以积分可得：

2)饱和区的I-V特性

由于反型层局部的电荷密度正比于，故当

接近时，则下降为0，即略大于时，则反

型层将在处终止，沟道夹断。

故对式(1.3)积分的左边必须从到,其中是下

降为0的点，右边从到，有：

此式表明，如果近似等于，则与无关。

上述并未考虑二级效应。

三、实验原理及步骤

根据实验原理图，在记事本中编辑电路的网表文件，保存为*.sp

的文件，在Star-Hspice中进行仿真，得出I-V特性曲线。

实验原理图：

D

GB

SV

V

图1.1测量NMOS管I-V特性原理图

四、思考题

1、什么是工艺角？

2、若考虑二级效应，NMOS管I-V特性有何变化？

实验一附录

实验所需网表：

*NMOSAnalysis

M12100n50W=5uL=1u

VDS205V

VGS101VVGS101V

.OP

.DCVDS050.2VGS151

.PROBEDCI(M1)

.END