GB_T 33922-2017MEMS压阻式压力敏感芯片性能的 圆片级试验方法.docxVIP

ICS31.200L55

中华人民共和国国家标准

GB/T33922—2017

MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法

WaferleveltestmethodsforMEMSpiezoresistivepressure-sensitivedieperformances

2017-07-12发布2018-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发布

Ⅰ

GB/T33922—2017

目次

前言 Ⅲ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4试验条件 1

4.1大气条件 1

4.2电磁条件 2

4.3振动条件 2

4.4测试系统 2

5试验的一般规定 2

5.1证书文件 2

5.2预热时间 2

5.3连接方式 2

6试验内容和方法 2

6.1试验准备 2

6.2电阻 2

6.3常压输出 3

6.4静态性能试验 4

6.5温度性能试验 7

Ⅲ

GB/T33922—2017

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。

本标准主要起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、北京必创科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中北大学。

本标准主要起草人:张威、程红兵、陈得民、李海斌、崔波、石云波、朱悦。

1

GB/T33922—2017

MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法

1范围

本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片(简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。

本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T20522半导体器件第14-3部分:半导体传感器—压力传感器GB/T26111微机电系统(MEMS)技术术语

3术语和定义

GB/T20522和GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1

压阻式压力敏感芯片piezoresistivepressure-sensitivedie

采用MEMS技术在硅衬底上制造腔膜结构,在膜上制作半导体电阻并组成惠斯通电桥,利用半导体的压阻效应实现将压力信号转化为电信号的芯片。

3.2

闭环压阻式压力敏感芯片closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie惠斯通电桥为封闭结构的压力敏感芯片。

3.3

开环压阻式压力敏感芯片openlooppiezoresistivepressure-sensitivedie惠斯通电桥为开放结构的压力敏感芯片。

4试验条件

4.1大气条件

除非另有规定外,所有试验都应在以下条件进行:

a)标准大气条件:

温度:15℃~35℃;

相对湿度:20%~80%;

大气压力:86kPa~106kPa。

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GB/T33922—2017

b)标准参比大气条件

温度:20℃;

相对湿度:65%;

大气压力:101.3kPa。

注:此标准参比大气条件是其他任何大气条件下测得的值通过计算加以修正的大气条件。通常认为在多数情况下,不可能有湿度修正因子。在这种情况下,标准参比大气仅考虑温度和压力。

4.2电磁条件

试验场地除地磁场外,应无其他外界磁场。

4.3振动条件

试验场地测试台应无机械振动。

4.4测试