多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法及编制说明.pdf

ICS77.040

CCSH17

YS

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/TXXXX-XXXX

多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测

定电感耦合等离子体发射光谱法

Graphiteproductsforpolysiliconproduction-Determinationofimpurity

contentonthesurface-Inductivelycoupledplasmaspectrometricmethod

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YS/TXXXX-XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）、全国半导体设备和材料标准化技术委员

会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。

本文件起草单位：

本文件主要起草人：

I

YS/TXXXX-XXXX

多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定

电感耦合等离子体发射光谱法

1范围

本文件规定了多晶硅生产用石墨制品表面杂质中钠、镁、铝、钾、钙、铬、铁、镍、铜、锌、砷、

铅、锰、硼、磷等元素的电感耦合等离子体发射光谱仪测定方法。

本文件适用于多晶硅生产用石墨制品中表面杂质元素含量的测定。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T6678化工产品采样总则

GB/T6679固体化工产品采样通则

ASTMD5127电子和半导体工业中用超纯水指南

GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4方法原理

利用石墨表面杂质的可溶性，将样品浸泡于硝酸溶液中使其表面杂质溶于酸中，制备成待测溶液。

待测溶液通过进样系统，进入电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES），测定待分析金属元素的含量。

5干扰因素

5.1采样后，在洁净室打开包装内袋，使样品减少外界带来的污染。

5.2使用的器皿、工具和进样系统的洁净度及操作过程等因素直接影响测定结果的准确度，保证其洁

净。

5.3化学试剂的纯度影响测定结果的准确度，测定前应确认超纯水、硝酸的纯度符合7.1和7.3要求。

5.4元素谱线的选取对测定结果有影响，为消除谱线的干扰，可选取表1中推荐谱线，也可根据不同

仪器选取其他推荐谱线，但需确认不受邻近元素谱线的干扰。

6测试环境

6.1环境温度：18℃～25℃。

6.2相对湿度：不大于65%。

6.3洁净室等级：满足GB/T25915.1—2021中定义的ISO6级及以上的要求。

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