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掺杂对二维材料MoX2S,Se晶体结构和能带结构的影响在MoS2中,金属W原子替代非金属S原子可以显著提高能带结构的复杂性在MoSe2中,金属W原子替代MoS2中的Mo原子可以显著降低能带结构的复杂性此外,根据实验结果,相同元素的掺杂可以改变它们的能带结构这表明不同类型的化合物的掺杂可以产生不同的电子行为,并且这些电子行为可能会影响晶体结构和能带结构
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掺杂对二维材料MoX2(S,Se)的电子结构影响的理论研究
摘要
文章主要介绍了掺杂对二维材料MoX2(S,Se)晶体结构和能带结构的影响。本论文我们采用密度泛函理论-第一性原理,研究了在MoS2和MoSe2中掺杂不同种类的非金属原子以及金属W原子对其电子结构的影响。对于MoS2非金属原子掺杂,我们采用一个C/N/O/Se原子替换MoS2中的一个S原子,对于金属掺杂,我们采用一个金属W原子替换MoS2中的一个Mo原子。对于MoSe2非金属原子掺杂,我们采用一个C/N/S原子替换MoSe2中的一个Se原子,对于金属掺杂,我们采用一个金属
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