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电源、控制部分模块化——振荡器电路
前言:
为获得较高的频率稳定度,采用石英晶体振荡器作为MCU的时钟发生回路。Q值可以达到105量级以上,频率稳定度可高达10-9量级以上。振荡器的放大电路已集成在MCU中,下面对并联石英晶体振荡器的谐振回路做一分析说明。
电路形式
图1并联石英晶体振荡器谐振回路
图2带拍频功能的并联石英晶体振荡器谐振回路
设计说明
图1所示的电路为电容三点式谐振回路,晶体在回路中呈感性。振荡频率主要由晶体的等效电感以及谐振回路的参数C1、C2决定。Xin、Xout端分别接至MCU的时钟输入、时钟输出管脚。
图2所示电路在图1.1基础上添加了拍频功能的设计,用于微调振荡频率。当打开拍频时,SHIFT管脚输出高电平信号,Q1导通,C1被短路,振荡器工作频率发生微变(变大)。有干扰源对时钟频率产生特定干扰时,该功能可以通过写频打开/关闭SHIFT管脚对MCU时钟频率进行调整。
调试说明
下面以图1的电路形式为例进行调试说明:
1、判断晶体是否过分驱动
电阻R1用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升。用示波器观察,如果正弦波形的波峰、波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻R1来防止晶振被过分驱动。R1的取值可使正弦波不再被削平为止。另外,R1可调节交流信号的幅度。
2、C1、C2的选择
C1为增益调节电容,C2为相位调节电容。C1、C2的总容值应与负载电容的值尽量接近或相等,即:≈CL。以使振荡器的频率等于晶体的标称频率,而且可以获得比较稳定的波形,以免幅度跳动过大或频点偏移。容值偏大有利于振荡器起振,但会增加起振时间。
3、若某些MCU没有集成反馈电阻,或使用没有集成反馈电阻的时钟引脚,要在晶体两端并联反馈电阻。
电性能指标范围
1、频差:±30ppm(25℃)
2、Xin端口电压范围:2.0V—5.5V
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