聚多巴胺辅助钛酸钡修饰MoS2聚芳醚腈基介电材料的结构与性能研究.docx

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聚多巴胺辅助钛酸钡修饰MoS2/聚芳醚腈基介电材料的结构与性能研究

摘要：柔性、高介电常数和高热稳定的聚合物基介电复合材料是静电电容器和嵌入器件的核心部件。与陶瓷介电材料相比，聚合物介电材料具有击穿场强高、易加工、质量轻、柔韧性好等优点。聚芳醚腈（PEN）具有聚合物介电材料的优点，同时具有较高的耐热性，但是其介电常数相对较低，不利于电子元器件性能的提升，限制了其在更多场合的广泛应用。本文通过将聚多巴胺（PDA）包覆的羟基钛酸钡（BTH）和二硫化钼（MoS2）杂化复合形成MoS2/PDA@BTH，并将其作为填料嵌入PEN基体中，制备了一系列MoS2/PDA@BTH