电力电子应用技术-第二讲半导体器件发展.pptx

中国半导体器件发展史

国际半导体器件发展进程

分立器件发展阶段（1956－1964）1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。同年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。1959年，在天津拉制了硅（Si）单晶。1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所DD第十三所（河北半导体研究所）。1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。1963年，河北半导体研究所研发了硅平面型晶体管。1964年，研发出硅外延平面型晶体管。

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IC初始发展阶段（1965－1980）1965年，DTL型数字逻辑电路1966年，TTL型数字电路（文革开始）1975年，中国科学院109厂研制了ECL型(发射极藕合逻辑)电路1972年，中国第一块PMOS型LST电路在四川永川半导体研究所研制成功。之后又研制成CMOS电路。在此期间，集成电路一经出现，随着设备和工艺的不断发展，集成度迅速提高。从小规模集成（SSI），经过中规模集成（MSL），很快发展到大规模集成（LSI）。此时美国已进入超大规模集成（VLSI）。在技术上中国都依靠自己的力量，只是从国外进口了一些水平较低的工艺设备，与国外差距逐渐加大。在这期间美国和日本已先后进入ＩＣ规模生产的阶段。

IC集中发展阶段（1981－1995）1982年，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是中国第一次从国外引进集成电路技术。1986年，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。在这期间美国和日本已先后进入ＩＣ规模生产的阶段，IC产量暴增，相关技术不断成熟。中国与世界成熟技术的差距进一步加大。

IC快速发展阶段（1996－2010）1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功

黄昆（1919-2005），世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一、杰出教育家。受邀与波恩著《晶格动力学》，至今仍是该领域权威著作。提出“黄方程”和由此引伸的极化元的重要概念，对理论物理发展作出重要贡献。1956年北大任教主持中国半导体物理专业的创建工作，著《固体物理学》为中国信息产业培养第一批人才。1977年任科学院半导体所所长为中国半导体科学技术的复苏发挥重要作用。2001年获国家最高科学技术奖。

谢希德（1921-2000）著名固体物理学家、教育家、社会活动家、第三世界科学院院士。1946年毕业于厦门大学数理学系。后留学美国，获麻省理工学院博士学位。1952年10月回国到复旦大学任教。中国半导体物理学科和表面物理学科开创者和奠基人，在表面和界面物理以及量子器件和异质结构电子性质理论研究方面成果突出。主要著作有《半导体物理学》、《固体物理学》、《群论及其在固体中的应用》、《表面物理》等

高鼎三（1912-2004）著名半导体物理与器件学家、微电子与光电子专家、吉林大学教授、中国工程院院士。1937年考入交通大学。1947年赴美国加利福尼亚大学留学。1955年回国，到东北人民大学（现吉林大学）任教。1959年他主持建立了全国第一个半导体系，成功研制了我国首个锗功率器件，是我国半导体事业的开拓者。

林兰英（1918-2003）中国半导体材料之母。中国科学院半导体研究所研究员。长期从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。1940年毕业于福建协和大学（福建师范大学前身）物理系；1955年获美国宾夕法尼亚大学博士学位。先后负责研制成我国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础；负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。

吴锡九业于麻省理工大学，硕士学位，是中国第一代晶体管、晶体管计算机和微型计算机的奠基人。目前为美中绿色能源促进会主席。1958年，吴锡九与其团队成功研制和孕育出我国第一个晶体管1959年至1960年间，吴锡九又马不停蹄地投入到“109”