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循环伏安剥离法CVS的应用

随着镶嵌制程在大量IC制造中逐渐获得重视，更可靠的铜电镀槽分析技术也

变得越来越重要。循环式伏安剥离法(CyclicVoltammetricStripping，CVS)已经

被证明是一种正确且精准的有机添加剂控制技术;最新一代的系统将会是更可靠、

更简单、更快速、且其价格更能被接受的产品。

在铜电镀制程中，其关键技术在于如何在晶圆表面上沉积出均匀铜薄膜，使其

具有特定的薄膜机械特性，并在沟槽与引洞内产生超填充(super-filling)

特性。这些重要的制程特性通常都是利用多成份有机与无机电镀溶液来达成;

所以我们需要更精确、更敏感、更容易使用与更具成本优势的线上监控量测技术。

一般铜电镀槽都含有高稳定的硫酸铜与硫酸电解质溶液。在这些电解质溶液中

的铜浓度为14~60克/升，而其硫酸浓度则为1~240克/升;相对地，其他加入到电

镀槽内的化学成份比例则为极少量。这些添加剂的成份为有机材料与氯离子，其主

要功用在于改变电镀铜的均匀度、硬度、延展性、与张力应力等特性，所以精确控

制添加剂对于维持电镀物的特定性质是非常重要的。

添加到铜电镀槽内的有机成份可区分为下列3种。(1)包含pendantsulfur原

子的加速剂成份，该加速剂会在其吸附处产生局部加速沉积;(2)由聚乙二醇

(polyethyleneglycols，PEGs)等聚合物所组成的抑制剂成份，该抑制剂可以在整

个晶圆表面形成电流抑制薄膜，特别是当氯离子存在时(氯离子会加强抑制效

应);(3)为二次抑制剂的轧平剂(leveler)，此作用只会在质量转换机制最显著的突

出表面发生。

由于各个有机成份在电镀制程中的消耗速率都不同，因此我们需要对个别成份

进行监控。例如，加速剂的消耗速率会比其他有机成份要快许多;此外，有机添加

剂与无机成份彼此间也会在电镀制程中进行反应，因而分解或改变其初始有机成

份。这些副产物将会影响整个沉积制程，有时候还会比初始有机成份造成更大的影

响。

所以，只单单监控初始有机添加剂的纯分析浓度，是不足以控制铜电镀槽的效

能。由于多成份添加剂与崩溃产物的存在，我们还需要监控电镀槽内会影响抑制

剂、加速剂与轧平剂特性的个别成份整体有效浓度(活性)。同时，崩溃产物的累积

也许有可能达到严重影响电镀制程的程度。因此，监控电镀槽的老化过程，也是另

一项分析与控制铜电镀制程的重要因素。

循环伏安剥离法在既有的电镀溶液有机添加剂监控分析技术中，只有循环伏安

剥离法(CVS)被证明是具有高可靠度的电镀槽多成份分析技术。在此分析技术中，

我们会利用传统式的三电极方式来进行量测，其中主要指标为白金(Pt)旋转圆盘电

极。

在循环式伏安剥离法中，我们会对此旋转碟片电极进行循环量测，因此金属会

在其表面重复地被沉积与剥离。循环式伏安剥离法中的有机添加剂监测，则是透过

金属剥离峰值面积与电镀速率间的关系而量测，此项技术已经成为电镀铜沉积制程

控制的最普遍方式。一开始，此项技术是由线路板制造商在20年前采用机上分析

器来进行量测分析。但是目前越来越多的芯片制造商很快地发现他们需要在其制程

中采用线上即时的电镀溶液量测。

线上电镀槽分析当电镀铜沉积已经变成先进半导体制程整合的一部分时，循环

式伏安剥离法化学成份监控系统也变成了整个电镀机台封闭制程系统的一部分。

第一代的循环式伏安剥离法分析机台是在1997研发完成，当时该机台只能够

监控两种有机添加剂。这些机台经由几个研究单位试用，同时，提供了我们对于电

镀制程重要的了解与改善数据。

从这些早期监控系统中，我们知道电镀溶液中的有机与无机成份都需要被监

控，而制程中的有机添加剂与初始组成物间的差异非常大。此外，制程中需要加入

更多有机成份，而无机成份的浓度也会改变。

第二代的分析机台-可以控制6种电镀溶液成份-是在1999被引进市场，并已

经成为全球主要半导体厂房中最普遍的高产量铜电镀制程溶液分析系统。

今日，我们研发出新型，可以处理12吋晶圆制程的第三代循环式伏安剥离法

监控系统。此系统将可以解决既有监控系统所遭遇的问题，这些问题主要来自于全

球各大半导体厂房中超过100部的分析机台所累积的经验收集。此分析机台与先前

机