一种低钴掺杂尖晶石-层状结构镍锰酸锂两相复合正极材料的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109088067B

(45)授权公告日

2020.08.07

(21)申请号201811148634.6(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

(22)申请日2018.09.29

H01M4/505(2010.01)

(65)同一申请的已公布的文献号

H01M4/525(2010.01)

申请公布号CN109088067A

H01M10/0525(2010.01)

(43)申请公布日2018.12.25

(56)对比文件

(73)专利权人广东邦普循环科技有限公司CN103811736A,2014.05.21

地址528200广东省佛山市三水区乐平镇CN104600282A,2015.05.06

智信大道6号CN102244256A,2011.11.16

专利权人湖南邦普循环科技有限公司CN103247796A,2013.08.14

(72)发明人汪乾阮丁山刘婧婧唐盛贺CN102569781A,2012.07.11

李长东审查员李小艳

(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有

限公司44205

代理人林德强

权利要求书1页说明书9页附图2页

(54)发明名称

一种低钴掺杂尖晶石-层状结构镍锰酸锂两

相复合正极材料的制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种低钴掺杂尖晶石-层状结

构镍锰酸锂两相复合正极材料的制备方法。这种

的制备方法，包括以下步骤：1)用镍盐和锰盐，分

别制备尖晶石结构的镍锰前驱体和层状结构的

镍锰前驱体；2)将尖晶石结构的镍锰前驱体、层

状结构的镍锰前驱体、锂源和钴源混合均匀，然

后煅烧，得到复合正极材料。本发明利用尖晶石

相提升层状结构的稳定性，反过来层状结构镍锰

+

酸锂的低Li迁移活化势垒则赋予了复合材料高

倍率性能的可能性。复合材料中掺入的少量钴能

部分进入过渡金属层中，起到抑制的Ni/Li混排

B作用的同时还能增强复合材料的电导率。本方法

7制备的复合正极材料具有能量密度高，循环及倍

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8率性能优良的特点。

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1

N

C

CN109088067B权利要求书1/1页

1.一种低钴掺杂尖晶石-层状结构镍锰酸锂两相复合正极材料的制备方法，其特征在

于：包括以下步骤：

1)用镍盐和锰盐，分别制备尖晶石结构的镍锰前驱体NiMn(OH)和层状结构的镍