取向氧化锆缓冲层对氧化铪铁电薄膜相稳定性的影响.docx

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2024-08-23 发布于广东
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取向氧化锆缓冲层对氧化铪铁电薄膜相稳定性的影响

摘要：铁电材料的重要成果就是铁电存储器，铁电存储器的运行速度的提升是将来发展铁电存储器的关键所在，而HfO2铁电薄膜作为未来理想的一种铁电材料，了解其极化性能提升非常重要。HfO2铁电薄膜受基底调控的影响明显，通过界面的电化学性质稳定铁电相是一种较好的方法。缓冲层的存在可以有效的提高铁电薄膜的性能，ZrO2缓冲层相对于其他缓冲层，得到的铁电薄膜具有更好的电滞曲线。在本文中，分别对[100]取向上氧化锆缓冲层与氧化铪铁电薄膜氧表面终端、铪表面终端进行模型搭建，通过第一性原理对其进行能量上的计算，从能量角度解释缓冲层对氧化铪铁电薄膜性能的影响。结果表