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《半导体器件概论》考试大纲

一、考试方法和考试时间

考试采用闭卷、笔试形式，考试时间为180分钟。

二、考试内容和考试要求

（半导体物理和器件部分）

基本参考书：

《半导体器件物理》，孟庆巨等编著，科学出版社2005出版。

参考书：

1、《半导体物理学》刘恩科电子工业出版社2003出版

2、《半导体物理与器件》，裴素华等编著，机械工业出版社2008出版。

3、R.M.Warner,B.L.GrungSemiconductor-DeviceElectronics

(《半导体器件电子学》吕长志等译，电子工业出版社2005年2月出版)

4、RobertF.PierretSemiconductorDeviceFundamental

(《半导体器件基础》黄如等译，电子工业出版社2004年11月出版)

考试对象的要求：

在了解半导体导电机制和其中载流子的性质和行为的基础上，初步了解硅双极型晶体管

和MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理，初步了解器件电参数和几何结构及半导体材

料参数之间的关系；

要求：了解基本术语概念;熟悉公式；掌握公式的内容和约束条件。

一、了解半导体导电机制和其中载流子的性质和行为：

1、了解半导体和绝缘体、金属的能带、导电机制有哪些差别，同时知道绝缘体和半导体

之间在特定条件下又有可能转化；

2、了解晶体中描述电子的共有化状态和局域状态的基本参数；

3、了解‘空穴’导电的本质；

4、了解控制半导体导电类型和导电能力的原理；

5、了解半导体中非平衡载流子的漂移、扩散、复合规律。

二、初步了解硅PN结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的基本结构、及工作原理：

1、初步了解PN结的形成，主要特性及应用；

2、初步了解双极型晶体管和MOS场效应晶体管中载流子的运动情况和器件的工作原理；

3、初步了解双极型晶体管和MOS场效应晶体管的输入输出特性；初步了解两者特性的差

异；

4、初步了解有各种非理想因素对PN结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管特性的

影响。

三、初步了解器件电参数和几何结构及半导体材料参数之间的关系：

1、初步了解双极型晶体管的电特性和器件结构及半导体材料参数（掺杂情况、尺寸大小

等不同半导体材料等）的关系；

2、初步了解MOS场效应晶体管的电特性和器件结构及半导体材料参数的关系；

3、初步了解器件各种电参数对结构参数要求之间的矛盾。

内容提要：

第一章晶体中电子的能量状态

1．硅和砷化镓的晶体结构

2．晶向指数和晶面指数

3．自由电子的E~k关系

4．一维矩形势阱中电子的E~k关系

5．晶体中共有化电子的运动

6．晶体中的载流子：电子和空穴

7．硅和砷化镓的能带图

8．半导体中的局域能级

第二章平衡载流子的统计分布

1．带中电子的状态密度

2．费米分布函数

3．本征半导体中电子、空穴的浓度

4．单一浅能级低掺杂半导体中电子和空穴的浓度

5．金属、半导体和绝缘体

6．杂质的补偿效应

7．重掺杂效应

第三章电导率和迁移率

1．载流子的散射

2．电导率和迁移率及其随温度的变化

3．强电场效应

第四章非平衡载流子

1．费米能级

2．非平衡载流子的寿命

3．非平衡载流子的复合机制

4．复合中心和陷阱中心

5．非平衡载流子的扩散和漂移

6．爱因斯坦关系

7．电中性条件

8．连续性方程及某些情况下的解

第五章结

1．平衡态PN结

2．理想PN结的伏安特性和非理想因素的影响

3．PN结的电容

4．PN结的击穿特性

5．金-半肖特基接触和欧姆接触

6．异质结

7．同质PN结二极管的开关特性

第六章MOS电容

1．氧化硅和硅的界面

2．MOS电容中的电荷成分