Tl-1223高温超导薄膜在蓝宝石单晶基片上的生长和性能研究.pdfVIP

第52卷第4期人工晶体学报Vol.52No.4

2023年4月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSApril,2023

Tl-1223高温超导薄膜在蓝宝石单晶基片上的

生长和性能研究

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韩徐,金艳营,曾立,岳宏卫,蒋艳玲,唐平英,黄国华,谢清连

(1.南宁师范大学,广西高校新型电功能材料重点实验室,南宁530100;2.桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林541004)

摘要:本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO缓冲层和Tl-1223

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超导薄膜,研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响。AFM和XRD表征

结果显示,蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构,同时基片的晶体质量得到了改善;本文所制

备的CeO缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向,而且两者呈现良好的ab面内织构。SEM表征结果显

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示,生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构,表面光滑平整、结构致密。在液氮环境下,测得所制备Tl-1223超导薄

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膜的临界转变温度T约为111K,临界电流密度J(77K,0T)约为1.3MA/cm。cc

关键词:Tl-1223超导薄膜;快速升温烧结法;蓝宝石基片;CeO缓冲层;磁控溅射;临界转变温度

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中图分类号:O511.3文献标志码:A文章编号:1000-985X(2023)04-0629-07

GrowthandPropertiesofTl-1223HighTemperatureSuperconducting

FilmsonSapphireSingleCrystalSubstrates

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HANXu,JINYanying,ZENGLi,YUEHongwei,JIANGYanling,TANGPingying,

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HUANGGuohua,XIEQinglian

(1.KeyLaboratoryof