1.2集成电路与机电元件.ppt

1.4.4集成电路（IntegratedCircuit）集成电路是利用半导体工艺技术，将电阻、电容、二极管、三极管、场效应晶体管等元器件按照设计要求连接起来，制作在同一硅片或基片上，成为具有特定功能的电路。1.集成电路的基本类别●集成电路按制造工艺可分为：半导体集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路和混合集成电路。●半导体集成电路按内部的器件类型可分为：TTL型和CMOS型。●按集成度可分为：小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）和甚超大规模（ULSI）集成电路。半导体集成电路也叫单片集成电路（MonolithicIC）.其电路构建在单晶基片上，电路中含有有源器件（晶体管、二极管等）、无源元件（电阻、电容等）及它们之间的互连导线，几乎所有的电路元器件都是通过诸如外延生长、掩模杂质扩散、氧化物生长、氧化物刻蚀、定义图形的光刻等这些工艺制造在基片内。最后，内部接触用铝与1%-2%硅和2%-4%铜的合金做成。半导体集成电路2.集成电路的型号与命名进口集成电路的型号命名一般是用前几位字母符号表示制造厂商，用数字表示器件的系列和品种代号。3.集成电路的封装集成电路的封装有塑料、陶瓷（PGA）和金属三种。（1）封装的形式常见的有双列直插型、单列直插型和圆筒型等。（2）引脚排列薄膜集成电路薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路用薄膜技术，即采用真空蒸镀、溅射、电镀和光刻等基本工艺的薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，从而制成的集成电路。薄膜集成电路在薄膜电路中主要有四种薄膜：导电、电阻、介质和绝缘薄膜。导电薄膜：用作互连线、焊接区和电容器极板。电阻薄膜：形成各种微型电阻。介质薄膜：是各种微型电容器的介质层。绝缘薄膜：用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。厚膜集成电路厚膜集成电路是在陶瓷片或玻璃等绝缘物体上，外加晶体二极管、晶体管、电阻器或半导体集成电路等。用丝网印刷和烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络，并在其上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件，再外加封装而成的混合集成电路。厚膜集成电路厚膜是指在基片上用印刷烧结技术所形成的厚度为几微米到数十微米的膜层。制造这种膜层的材料，称为厚膜材料。按厚膜的性质和用途,所用的浆料有五类:导体、电阻、介质、绝缘和包封浆料。导体浆料用来制造厚膜导体，在厚膜电路中形成互连线、多层布线、微带线、焊接区、厚膜电阻端头、厚膜电容极板和低阻值电阻。厚膜集成电路厚膜混合集成电路是一种微型电子功能部。与薄膜混合集成电路相比，厚膜混合集成电路的特点是：设计更为灵活、工艺简便、成本低廉，特别适宜于多品种小批量生产。在电性能上，它能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流。厚膜微波集成电路的工作频率可以达到4吉赫以上。它适用于各种电路，特别是消费类和工业类电子产品用的模拟电路。带厚膜网路的基片作为微型印制线路板已得到广泛的应用。混合集成电路混合集成电路（HybridIntegratedCircuit,HIC）是由半导体集成工艺与薄（厚）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。混合集成电路包括：厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路和薄、厚膜混合集成电路。?使用集成电路的电子产品，在接通或断开电源的瞬间，不得有高电压产生，否则将会击穿集成电路。

?一般情况下，数字集成电路的多余输入端不允许悬空，否则容易造成逻辑错误。与门、与非门的多余输入端应该接电源正端，或门、或非门的多余输入端应该接地。

?商业级集成电路的使用温度一般在0~＋70℃之间。在电路板布局时，应使集成电路尽量远离热源。

?在手工焊接电子产品时，一般应该最后装配焊接集成电路；不要使用大于45W的电烙铁，每次焊接时间不得超过10秒钟。

?对于MOS集成电路，要特别防止栅极静电感应击穿。一切测试仪器、电烙铁以及线路本身，均须良好接地。此外，在存储MOS集成电路时，必须将其收藏在防静电盒内或用金属箔包装起来。机电元件是利用机械力或电信号的作用来实现电路接通、断开或转接的元件。2.3.1接插件