章半导体存储器习题.pptxVIP

9.4画出16字×1位RAM的双地址结构图。;9.14二极管ROM电路如图所示。已知A1A0取值为00、01、10、11时，地址译码器输出W0～W3分别出现高电平。根据电路结构，说明内存单元0～3中的内容是什么？图中“·”表示如虚线框所示的二极管连接。;9.17用3片RAM2114(1k×4)组成图P9.17所示电路。

(1)分析图示电路存储器的容量是多少？(2)写出每一片RAM2114的地址范围(用十六进制表示)，（3）图示电路是对RAM2114进行字扩展？还是位扩展？或者是字位同时进行扩展？（4）若要实现2k×8的存储器，需要多少片2114芯片？;(2)写出每一片RAM2114的地址范围(用十六进制表示)，;（3）图示电路是对RAM2114进行字扩展？还是位扩展？或者是字位同时进行扩展？（4）若要实现2k×8的存储器，需要多少片2114芯片？;9.18试回答下列问题。

1.将一个包含有32768个基本存储单元的电路设计成4096个字节的RAM。

（1）该RAM有几根数据线？８根

（2）该RAM有几根地址码输入线？１２根

2.将一个包含有16384个基本存储单元的存储电路设计成4096个字节的RAM。

（1）该RAM有多少个地址？4096个

（2）该RAM有多少个数据读出线？4个

3.有一个容量为256×4位的RAM。

（1）该RAM有多少个基本存储单元？1024个

（2）该RAM每次访问几个基本存储单元？４个

（3）该RAM有多少地址引线？８根

4.容量为16K×8的RAM。

（1）该RAM有多少个基本存储单元？128Ｋ

（2）该RAM有多少根数据引线？８根

（3）该RAM有多少根地址引线？14根;9.20试用256×4位的RAM扩展成1024×8位存储器。;9.21试用4×2位的RAM扩展成16×2位存储器。

解：