80C51并行扩展技术课件.pptVIP

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【例7.1】試將E2PROM中以Addr為首址的32個存儲單元改寫為內RAM中以30H為首址的32位元組的內容。解:編程如下:WROMl:MOVR0,#30H;置源數據區首址 MOVDPTR,#Addr;置E2PROM擦寫單元首址LOP1:MOVA,@R0;取改寫數據MOVX@DPTR,A;改寫INCR0;修改源數據區地址INCDPTR;修改寫入單元地址CJNER0,#40H,LOP1;1~16位元組未頁寫完畢,繼續DECDPL;頁寫完畢,指向最後一個數據MOVB,A;暫存最後一個數據WALT:CLRA;MOVCA,@A+DPTR;讀最後一個數據XRLA,B;異或核對JBAcc.7,WAIT;Acc.7=1,頁存儲未完,Ace.7=0,頁存儲完畢INCDPL;恢復指向下一寫入單元地址LOP2:MOVA,@R0;取改寫數據MOVX@DPTR,A;改寫INCR0;修改源數據區地址INCDPTR;修改寫入單元地址CJNER0,#50H,LOP2;17~32位元組未頁寫完畢,繼續RET【例7.2】按圖7.10,將2864A中1000H為首地址的16個數據讀出取反後寫入原存儲單元。解:編程如下:WROM2:MOVR2,#10H;置數據長度MOVDPTR,#1000H;置E2PROM數據區首址LOP2:MOVXA,@DPTR;讀E2PROM數據CPLA;取反MOVX@DPTR,A;寫入E2PROM原存儲單元INCDPTR;指向下一數據地址DJNZR2,LOP2;判操作完成否?未完迴圈RET;完成操作,返回。②數據記憶體RAM的擴展:有時需要擴展外部數據記憶體RAM方能工作(如數據採集系統數據量較大,需要專設RAM或FlashRAM)。最常用的RAM器件是SRAM。如:6116(2K)/6264(8K)/62128(16K)/628128(128K)……記憶體的擴展(RAM)A7VccA6A8A5A9A4WEA3OEA2A10A1CEA0D7D0D6D1D5D2D

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