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该文章介绍了使用DCreactivemagnetronsputtering法制作高纯度ZnO薄膜的研究进展，主要讨论了溅射压力对片层结构和性能的影响此外，还详细阐述了不同因素如何影响ZnO薄膜的结构和性能该论文的主要结论是通过使用离子溅射法制备高纯度的ZnO薄膜，其品质优良，导电性和透光性好该报告为相关领域的科学家提供了新的研究思路和方法
磁控溅射法制备掺铝氧化锌薄膜
摘要
氧化锌(ZnO)是具有六方纤锌矿晶体结构的宽带隙II-VI半导体材料(25REF_Ref8397\r\h(19)。它在学术界受到了高度重视。因为氧化锌在很多方面都具有良好的性能。氧化锌已广泛用于许多领域，例如它可以用于太阳能电池、紫外检测器、表面声波器件和传感器。近年来，与铟锡氧化物半导体透明导电膜（ITO膜）相比，掺AL的ZnO薄膜具有高导电性，高透光率，丰富的原材料储备和低成本。最有前途的透明导电膜
本文通过设计实验，期望通过直流反应磁控溅射法制备Al掺杂的ZnO薄膜，其中高质量Al掺杂的ZnO（99.99％）掺杂的Al（1.5％）以ZnO
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