GaN HEMT热阻测试技术研究.pdfVIP

电子与封装

第23卷，第11期总第247期

Vol.23,No.11ELECTRONICSPACKAGING2023年11月

ICTC2023（集成电路测试大会）题

GaNHEMT#

热阻测试技术研究

邱金朋，沈竞宇

（华润微电子（重庆）有限公司，重庆404100)

摘要：GaN作为第三代半导体材料的代表，具有优越的电学性能，被应用在诸多领域。随着功率

密度提升、工作频率增加，GaN器件会产生明显的热效应，温度对GaN的性能及可靠性有直接影

响，因此热阻测试及结温表征是非常重要的。根据GaN器件的结构、工作原理以及特性参数，结合

JEDEC热阻测试的标准，对不同电压等级、不同封装结构的GaN器件进行测试，验证了使用导通电

阻作为温度敏感参数的热阻测试方法的正确性。

关键词：GaN；导通电阻；结温；热阻

中图分类号：TN307文献标志码：A文章编号：1681-1070（2023）11-110104

D0I:10.16257/ki.1681-1070.2023.0163

中文引用格式：邱金朋，沈竞宇.GaNHEMT热阻测试技术研究[}].电子与封装，2023，23(11)：110104.

英文引用格式:QIUJinpeng,SHENJingyu.ResearchonthermalresistancetestingtechnologyofGaNHEMT[J].

ElectronicsPackaging,2023,23(11):110104.

ResearchonThermalResistanceTestingTechnologyofGaNHEMT

QIUJinpeng,SHENJingyu

(ChinaResourcesMicroelectronics(Chongqing)Co.,Ltd.,Chongqing404100,China)

Abstract:Astherepresentativeofthethirdgenerationsemiconductormaterials,GaNhasexcellentelectrical

propertiesandisusedinmanyfields.Withtheincreaseofpowerdensityandworkingfrequency,GaNdevices

willproduceobviousthermaleffects,andthetemperaturehasadirectimpactontheperformanceand

reliabilityofGaN,soitisveryimportanttotestthethermalresistanceandcharacterizethejunction

temperature.Accordingtothestructure,workingprincipleandcharacteristicparametersofGaNdevices,

combinedwithstandardsofJEDECthermalresistancetest,thecorrectnessofthethermalresistancetest

methodusingon-resistanceasthetemperaturesensiti