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光电子和激光专业名词解释
1.粒子数反转(populationinversion)是激光产生的前提。两能级间受激辐射几率与两
能级粒子数差有关。在通常情况下,处于低能级E1的原子数大于处于高能级E2的原子数,
这种情况得不到激光。为了得到激光,就必须使高能级E2上的原子数目大于低能级E1上的
原子数目,因为E2上的原子多,发生受激辐射,使光增强(也叫做光放大)。为了达到这个
目的,必须设法把处于基态的原子大量激发到亚稳态E2,处于高能级E2的原子数就可以大
大超过处于低能级E1的原子数。这样就在能级E2和E1之间实现了粒子数的反转。
2.成栅方法光纤光栅制作方法中的驻波法及光纤表面损伤刻蚀法,成栅条件苛刻,成品率
低,使用受到限制。主要的成栅有下列几种。
1)短周期光纤光栅的制作
a)内部写入法内部写入法又称驻波法。将波长488nm的基模氛离子激光从一个端面耦
合到锗掺杂光纤中,经过光纤另一端面反射镜的反射,使光纤中的入射和反射激光相干
涉形成驻波。由于纤芯材料具有光敏性,其折射率发生相应的周期变化,于是形成了与
干涉周期一样的立体折射率光栅,它起到了Bragg反射器的作用。已测得其反射率可达
90%以上,反射带宽小于200MHZ。此方法是早期使用的,由于实验要求在特制锗掺杂
光纤中进行,要求锗含量很高,芯径很小,并且上述方法只能够制作布拉格波长与写入
波长相同的光纤光栅,因此,这种光栅几乎无法获得任何有价值的应用,很少被采用。
用准分子激光干涉的方法,Meltz等人首次制作了横向侧面曝光的光纤光栅。用两束相
干紫外光束在接错光纤的侧面相干,形成干涉图,利用光纤材料的光敏性形成光纤光栅。
栅距周期由∧=λuv/(2sinθ)给出。可见,通过改变人射光波长或两相干光束之间的
夹角,可以改变光栅常数,获得适宜的光纤光栅。但是要得到高反射率的光栅,则对所
用光源及周围环境有较高的要求。这种光栅制造方法采用多脉冲曝光技术,光栅性质可
以精确控制,但是容易受机械震动或温度漂移的影响,并且不易制作具有复杂截面的光
纤光栅,这种方法使用不多。
b)光纤光栅的单脉冲写入由于准分子激光具有很高的单脉冲能量,聚焦后每次脉冲可
达J·cm-2,又发展了用单个激光脉冲在光纤上形成高反射率光栅。英国南安普敦大学的
Archambanlt等人对此方法进行了研究,他们认为这一过程与二阶和双光子吸收有关。
由于光栅成栅时间短,因此环境因素对成栅的影响降到了最低限度。此外,此法可以在
光纤技制过程中实现,接着进行涂覆,从而避免了光纤受到额外的损伤,保证了光栅的
良好强度和完整性。这种成栅方法对光源的要求不高,特别适用于光纤光栅的低成本、
大批量生产。
c)相位掩膜法将用电子束曝光刻好的图形掩膜置于探光纤上,相位掩膜具有压制零级,
增强一级衍射的功能。紫外光经过掩膜相位调制后衍射到光纤上形成干涉条纹,写入周
期为掩膜周期一半的Bragg光栅。这种成栅方法不依赖于入射光波长,只与相位光栅的
周期有关,因此,对光源的相干性要求不高,简化了光纤光栅的制造系统。这种方法的
缺点是制作掩膜复杂,为使KrF准分子激光光束相位以知间。隔进行调制,掩膜版一维
表面间隙结构的振幅周期被选为4π(nilica-1)/(A·λKrF)=π,这里A是表面间
隙结构的振幅。这样得到的相位掩膜版可使准分子激光光束通过掩膜后,零级光束小子
衍射光的5%,人射光束转向+1和-1级衍射,每级衍射光光强的典型值比总衍射光的35%
还多。用低相干光源和相位掩膜版来制作光纤光栅的这种方法非常重要,并且相位掩膜
与扫描曝光技术相结合还可以实现光栅耦合截面的控制,来制作特殊结构的光栅。该方
法大大简化了光纤光栅的制作过程,是写入光栅极有前途的一种方法。
2)长周期光纤光栅的制作
a)掩膜法掩膜法是目前制作长周期光纤光栅最常用的一种方法。实验中采用的光纤为
光敏光纤,PC为偏振控制器,AM为振幅掩膜,激光器照射数min后,可制成周期60
μm~1mm范围内变化的光栅,这种方法对紫外光的相干性没有要求。
b)逐点写人法此方法是利用精密机构控制光纤运动位移,每隔一个周期曝光一次,通
过控制
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