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高质量ZnO薄膜的MOCVD外延生长与原位掺杂

外延生长是一种常用的方法来制备高质量的锌氧化物（ZnO）薄膜。

其中，金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种有效的技术，可以实现

ZnO薄膜的外延生长。此外，原位掺杂可以进一步改变ZnO薄膜的性质

和应用。本文将重点介绍MOCVD外延生长方法以及原位掺杂对ZnO薄

膜性能的影响。

首先MOCVD是一种通过化学反应在固体表面上沉积薄膜的技术。

它基于金属有机前体的分解反应，形成金属原子源，并通过表面反应生

成相应的化合物。对于ZnO薄膜的外延生长，常用的金属有机前体是乙

二酮钽酸锌（Zn(acac)2）和二甲基锌（DMZn），它们可以在高温下分

解生成金属锌和氧气。此外，还可以通过添加适量的杂质前体，如Al

（作为N型掺杂）或Mg（作为P型掺杂），实现对ZnO薄膜中掺杂杂

质的原位控制。

其次MOCVD外延生长ZnO薄膜的过程受到多种参数的影响，包

括底片选择、衬底处理、气相输运、反应温度和压力、前体浓度等。底

片选择对于薄膜质量至关重要。例如ZnO衬底具有与ZnO薄膜相同的

晶格结构和热膨胀系数，有助于减小晶格失配和缺陷密度。衬底处理可