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高质量γ-Ga2O3纳米片的可控合成及其非均相催化

性能

标题：高质量γ-Ga2O3纳米片的可控合成及其非均相催化性能

摘要：

本论文研究了一种高质量γ-Ga2O3纳米片的可控合成方法，并对其

非均相催化性能进行了研究。通过溶剂热法合成了γ-Ga2O3纳米片，并

使用XRD、SEM、TEM等技术对样品的结构和形貌进行了表征。研究发

现，γ-Ga2O3纳米片具有良好的结晶性和单晶形貌；同时，纳米片的尺

寸和形貌可以通过调节合成条件实现可控合成。进一步的研究发现，γ-

Ga2O3纳米片表现出较好的非均相催化性能，可用于催化CO2光催化还

原以及其他重要的催化反应。

关键词：γ-Ga2O3纳米片；可控合成；非均相催化性能；光催化还

原；催化反应

引言：

γ-Ga2O3作为一种半导体氧化物，具有良好的催化性能，已广泛应

用于光催化分解水、光催化还原CO2等领域。然而，高质量γ-Ga2O3纳

米片的合成方法仍然具有一定的挑战，且其非均相催化性能的研究也相

对较少。因此，开发一种可控合成高质量γ-Ga2O3纳米片的方法，并

究其催化性能，对于进一步推动γ-Ga2O3在催化领域的应用具有重要意