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《电力电子技术》习题及思考题解答参考

第1章电力电子器件

1．使晶闸管导通的条件是什么?

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电

流(脉冲)

或：u0且u0。

AKGK

2．维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸吉的电流大于能保持晶闸管导通的最小电

流，即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管

的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶

闸管关断。

5．GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸

管不能？

答：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体

管V1、V2分别具有共基极电流增益α和α2，由普通晶闸管的分析可得，

1

α+α=1是器件临界导通的条件。α+α21，两个等效晶体管过饱和而导通；

121

α+α21，不能维持导通而关断。

1

GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸

管在设计和工艺方面有以下几点不同：

1)GTO在设计时α较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；

2

2)GTO导通时的更接近于1，普通晶闸管α+α≧1.15，而GTO则为

1

α+α=1.05

1

GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件。

3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩

短，使得P极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

2

6．如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?

答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输

入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电

压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：

①一般在不用时将其三个电极短接；

②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；

⑧电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高

④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

7．IGBT，GTR，和电力MOSFET的驱动电路个有什么特点？

答IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。·

GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一

定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅

值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。

GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有

足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加

负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断

驱动电路和门极反偏电路三部分。

电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动

功率小且电路简单。

8．全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的

作用。

答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du／dt，或过

电流di／dt，减小器件的开关损耗。

RCD缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，C经R放电，R起到限制

sss

放电电流的作用：关断时，负载电流经VD向Cs分流，使du／dt，减小，抑