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ASIC晶片開發過程;內容;主要流程框架;劃分
;劃分
;ASIC設計流程;ASIC開發流程中各步驟;傳統設計流程;設計的一般步驟;設計的一般步驟(2);設計的一般步驟(3);規範和ＲＴＬ編碼;動態仿真;約束、綜合和掃描插入;形式驗證;靜態時序分析;佈局、佈線和驗證;內容;CYIT提供如下檔:GDSII檔，物理驗證環境，物理驗證報告
生產廠家進行Merg
生產廠家提供物理驗證報告
CYIT確認和eviewjob;製造一塊IC晶片通常需要400到500道工序。但是概括起來說，它一般分為兩大部分：前道工序（front-endproduction）和後道工序（back-endproduction）。
[1]前道工序
(1)將粗糙的矽礦石轉變成高純度的單晶矽。
(2)在wafer上製造各種IC元件。
(3)測試wafer上的IC晶片
[2]後道工序
(1)對wafer劃片（進行切割）
(2)對IC晶片進行封裝和測試
;第一步矽棒的拉伸
將多晶矽熔解在石英爐中，然後依靠
一根石英棒慢慢的拉出純淨的單晶矽棒。
第二步切割單晶矽棒
用金剛石刀把單晶矽棒切成一定的厚度
形成WAFER（晶片、圓片）。
注：一片wafer上可以生產出很多顆裸晶片（die）,一般都上千顆;前道工序;第五步覆上光刻膠
通過旋轉離心力，均勻地在WAFER表面覆上一層光刻膠。
第六步在WAFER表面形成圖案
通過光學掩範本和曝光技術在WAFER表面形成圖案。
第七步蝕刻
使用蝕刻來移除相應的氧化層。
第八步氧化、擴散、CVD和注入離子
對WAFER注入離子（磷、硼），然後進行高溫擴散，形成各種集成器件。
第九步磨平（CMP）
將WAFER表面磨平。
;前道工序;第十二步切割WAFER
把晶片從WAFER上切割下來。形成一顆顆die
第十三步固定晶片
把晶片安置在特定的FRAME上
;第十三步連接管腳
用25微米的純金線將晶片和FRAME上的引腳連接起來。
第十三步封裝
用陶瓷或樹脂對晶片進行封裝。
;第十六步修正和定型（分離和鑄型）
把晶片和FRAME導線分離，使晶片外部的導線形成一定的形狀。
第十七步老化（溫度電壓）測試
在提高環境溫度和晶片工作???壓的情況下模擬晶片的老化過程，以去除發生早期故障的產品
第十八步成品檢測及可靠性測試
進行電氣特性檢測以去除不合格的晶片
成品檢測：
電氣特性檢測及外觀檢查
可靠性檢測：
實際工作環境中的測試、長期工作的壽命測試
注：FT測試，finaltest，也叫成測（終測），是指封裝過後的成品測試，測試專案主要也是針對器件功能，目的將封裝後的不良品剔除。Chip級
第十九步標記
在晶片上用鐳射打上產品名。
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