VCSEL激光器技术科普!.pdfVIP

什么是VCSEL激光器？

VCSEL激光器全名为垂直共振腔表面放射激光器（Vertical

CavitySurfaceEmittingLaser,VCSEL），简称面射型激光器。它以

砷化镓半导体材料为基础研制，是一种半导体激光器。

其激光垂直于顶面射出，与激光由边缘射出的边射型激光有

所不同。因此相较于边射型激光器，VCSEL激光器具有低阈值电

流、稳定单波长工作、可高频调制、容易二维集成、没有腔面阈

值损伤等优点，在半导体激光器中占有很重要的地位。

边发射激光器和面发射激光器VCSEL

VCSEL芯片基本结构

VCSEL的结构示意图如下图所示。它是在由高、低折射率介

质材料交替生长成的分布布喇格反射器（DBR）之间连续生长单

个或多个量子阱有源区所构成。典型的量子阱数目为3~5个，

它们被置于驻波场的最大处附近，以便获得最大的受激辐射效率

而进入振荡场。在底部还镀有金属层以加强下面DBR的光反馈

作用，激光束从顶部透明窗口输出。

实际上，要完成低阈值电流工作，和一般的条型半导体激光

器一样，必须使用很强的电流收敛结构，同时进行光约束和截流

子约束。由上图可见，VCSEL的半导体多层模反射镜DBR是

由GaAs/AlAs构成的，经蚀刻使之成为air-post（台面）结构。

在高温水蒸汽中将AlAs层氧化，变为有绝缘性的AlxOy

层，其折射率也大大降低，因而成为把光、载流子限制在垂直方

向的结构。对VCSEL的设计集中在高反射率、低损耗的DBR和

有源区在腔内的位置。

VCSEL的结构与关键工艺介绍

VCSEL有几个关键工艺，这几个关键工艺决定了器件的特性

与可靠性。

銦镓砷InGaAs井（well）铝镓砷AlGaAs垒（barrier）的多

量子阱（MQW）发光层是最合适的，跟LED用In来调变波长一

样，3D传感技术使用的940纳米波长VCSEL的銦In组分大约是

20%，当銦In组分是零的时候，外延工艺比较简单，所以最成熟

的VCSEL激光器是850纳米波长，普遍使用于光通信的末端主动

元件。

发光层上、下两边分别由四分之一发光波长厚度的高、低折

射率交替的外延层形成p-DBR与n-DBR，一般要形成高反射率有

两个条件，第一是高低折射率材料对数够多，第二是高低折射率

材料的折射率差别越大，出射光方向可以是顶部或衬底，这主要

取决于衬底材料对所发出的激光是否透明，例如940纳米激光由

于砷化