高压VDMOS器件P区注入对阈值电压的影响.docxVIP

下载本文档

0
0
约2.32千字
约 5页
2024-09-10 发布于湖北
举报
版权申诉

高压VDMOS器件P区注入对阈值电压的影响.docx

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

高压VDMOS器件P区注入对阈值电压的影响

???

摘要：本文分析了引起传统工艺制造的VDMOS阈值偏高的因素：体区浓度和栅氧厚度，提出了工艺窗口筛选的方案，实验结果表明该方案在器件的击穿电压、通态电阻以及源漏间漏电流不发生改变的同时，实现了阈值电压的调整，达到了3.45V的设计要求。同时研究了Pbody不同注入剂量5.5E13、5.3E13、5.0E13和4.8E13对高压小电流VDMOS产品阈值电压的影响。

关键词：半导体VDMOS功率器件阈值电压体区浓度

王莎莎，女，西安理工大学，材料物理与化学，硕士，初级工程师，半导体技术工艺工程师。

翁锴强，男，西安电子科技大学，材料工程，硕士，中级工程师，质量检验工程师。

1前言

就当前实际生产状况而言，有关于器件阈值电压，总会面临实际值与设计值存在一定差距的问题，这时应对进行一定的调控，直到确认其稳定后才可以投入使用，保证其器件符合预设要求。

想要使阈值电压下降，无疑需要采用两种调试方法，若使用降低氧化层厚度的方法来解决降低阈值电压的需求，即便真的具有可行性，但会在很大程度上增大栅极电容[1]，继而使器件开关速度降低，甚至会涉及到对漏电的影响，提高漏电的可能。但对于另一种方法即减少P区掺杂浓度而言，也存在一定程度的缺陷，即VDMOS器件的雪崩击穿特性会在P区掺杂浓度被降低的时候受到影响，甚至会导致VDMOS器件可靠性降低[2]，系统不稳定性增强。所以据此而言，想要阈值电压真正实现安全稳定的降低，必须首先确保器件拥有良好的开关性能和可靠性，且不会受到相关调整的影响。这就需要对在调整P区掺杂浓度时选择最佳的注入剂量组合。

2影响阈值电压的因素

根据理论得知，构成反型沟道不可或缺的电压为阈值电压，依据式（1）可得出其与、、、、和之间存在一定的相关关系。

(1)

费密势为，受体浓度为，阈值电压与，也就是P区的掺杂浓度成正比[3]。P区的掺杂浓度在生产过程中主要受JFET注入剂量、P-Body注入剂量、N-Plus注入剂量影响。同样的，阈值电压值也与，即栅氧化层的厚度成正比关系[4]。如果在系统运行过程中有需要使阈值电压下降的实际要求，可以通过减少P区掺杂浓度，或者降低栅间氧化层的厚度来实现这一要求。反之，想要使阈值电压值上升，也可以通过提高P区掺杂浓度、提高栅间氧化层厚度的方式实现。

3阈值电压工艺优化

3.1P区注入工艺优化

依据上述理论，要实现对阈值电压的降低，通过确认JFET、体区(P-Body)、源区(N-Plus)这三次注入与阈值电压大小之间的关系，再以降低阈值电压为目的对这三项进行综合调整，在不影响器件性能的前提下，可以实现对阈值电压的调整。这中间需要注意的是，三项剂量之间存在的大小关系为JFETIMP

表1N-Plus注入剂量N2、N3、N5的实验设计表

工艺

条件

片号

NSDIMP

在固定JFET和P-Body注入剂量不变，保证源漏间不会出现漏电的情况下，细微的调整N-Plus的注入剂量。经过实验流片，产品CP参数测试结果如图1所示。

图1N-Plus注入剂量N2、N3、N5的实验结果

当N-Plus剂量条件为N5时，阈值电压的CP测试值按照预设要求稳定于3.45V左右，通态电阻的实际测得值也在目标值2.1Ohm上，源漏饱和漏电流的值也小于1uA左右，满足设计要求。

3.2Pbody注入剂量对阈值电压的影响

由上面实验已确定了在线工艺条件，但实际生产中对高电压小电流产品来说，相同的工艺条件下，高电压小电流产品的阈值电压会相对偏高。为符合设计值，对Pbody注入剂量进行微调。保持注入元素B、能量80Kev和角度7度不变，设计四挡不同注入剂量，分别为：5.5E13、5.3E13、5.0E13和4.8E13。验证不同Pbody注入剂量对阈值电压的影响。

按上述实验方案进行流片验证，测得CP结果如图2所示。

图2Pbody不同注入剂量的实验结果

由实验结果可以看出，对高电压小电流产品而言，当Pbody注入剂量为5.3E13时，阈值电压为3.45V左右。

4结束语

通过对上述方案的逐一分析，充分对相关数据进行合理解析。P区注入的设计值分别是：JFET注入P元素，能量为120Kev，注入剂量为2E12，注入角度为7度；P-Body注入B元素，能量为80Kev，注入剂量为5.5E13，注入角度为7度；N-Plus注入As元素，能量为100Kev，注入剂量为9E15，注入角度为7度。产品阈值电压达到设计值，同时器件开启稳定，源漏间不会产生漏电。对高电压小电