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12.3面缺陷;一、晶界与亚晶界;1小角度晶界;小角度晶界;小角度晶界;多晶体中,每个晶粒内部原子也并非十分整齐,会出现位向差极小的亚结构,亚结构之间的交界为亚晶界。;2.大角度晶界
;大角度晶界示意图;晶界:约三个原子层厚;La3Cu2VO9晶体的电子衍射图;NiFe多晶纳米薄膜的电子衍射;非晶态材料电子衍射图的特征;图面心立方晶体中的抽出型层错(a)
和插入型层错(b);图面心立方晶体中反映孪晶;孪晶原子排布示意图;铜合金中的孪晶;High-ResolutionImaging;不同材料Cu〔a,b〕、Cu-10at.%Zn〔c,d〕和Cu-32at.%Zn〔e,f〕的滑移带开裂和孪晶界开裂行为.;小角晶界、孪晶界面与大角晶界低周疲劳开裂倾向性关系。;体缺陷,是指在晶体中三维尺度上出现的周期性排列的紊乱,也就是在较大的尺寸范围内的晶格排列的不规那么。
这些缺陷的区域根本上可以和晶体或者晶粒的尺寸相比较,属于宏观的缺陷,较大的体缺陷可以用肉眼就能够清晰观察。;在体缺陷中比较重要的是包裹体。包裹体是晶体生长过程中界面所捕获的夹杂物。
它可能是晶体原料中某一过量组分形成的固体颗粒,也可能是晶体生产过程中坩埚材料带入的杂质微粒。
这是一种严重影响晶体性质的体缺陷,如造成光散射,或吸收强光引起发热从而影响晶体的强度。另一方面,由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同,在单晶体生长的冷却过程中会产生体内应力,造成大量位错的形成。;氟代硼铍酸钾〔KBBF〕单晶中的包裹物;点缺陷:在三维尺寸均很小,只在某些位置发生,只影响邻近几个原子。
线缺陷:在二维尺寸小,在另一维尺寸大,可被电镜观察到。
面缺陷:在一维尺寸小,在另二维尺寸大,可被光学显微镜观察到。
体缺陷:在三维尺寸较大,如镶嵌块,沉淀相,空洞,气泡等。
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