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第0章
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氧化铟掺杂氧化锡材料的制备及其气敏性能应用研究
摘要
金属氧化物半导体材料由于具有选择性好、灵敏度高、气敏性能优异等特点,一直备受研究者们的喜爱。SnO2是一种典型的n型金属氧化物半导体材料,具有稳定性好、灵敏度高、价格低廉等特点,是最具潜力的气敏材料之一,但是SnO2材料存在选择性能较差和工作温度高等缺陷,需要对SnO2材料进行改良。本论文首先介绍气敏传感器当前的研究背景,然后从制备SnO2及其掺杂材料方法入
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