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过渡金属Ni表面石墨烯生长机理的理论研究
过渡金属Ni表面石墨烯生长机理的理论研究
摘要：石墨烯是一种二维碳材料，具有优异的电学、热学和力学特
性，在纳米电子学、光电子学和能源存储等领域具有广阔的应用前景。
过渡金属Ni是一种常用的催化剂，可以促进石墨烯的生长。本文通过理
论分析和计算，探究了过渡金属Ni表面石墨烯生长的机理，从而为石墨
烯的制备和应用提供了理论指导。
1.引言
石墨烯的独特性质使其成为当前研究的热点之一。然而，石墨烯在
大规模制备方面面临着许多挑战，其中关键问题之一是寻找高效可靠的
生长方法。过渡金属Ni是一种被广泛应用于石墨烯生长的催化剂。研究
过渡金属Ni表面石墨烯生长的机理对于理解石墨烯生长过程、优化石墨
烯生长条件具有重要意义。
2.过渡金属Ni表面石墨烯生长的机理
过渡金属Ni表面石墨烯的生长机理涉及到物理吸附、化学反应和扩
散等过程。首先，碳源分子通过物理吸附的方式吸附到过渡金属Ni表面。
在吸附后，碳源分子进一步通过化学反应与Ni表面上的碳原子结合形成
C-Ni键。化学反应的发生与过渡金属Ni表面的电子态有关，其中d轨道
的电子起到了关键作用。最后，碳原子通过扩散在过渡金属Ni表面上移
动并与相邻碳原子结合，最终形成石墨烯层。
3.过渡金属Ni表面石墨烯生长条件的优化
为了实现高效的石墨烯生长，需要优化生长条件。首先，选择合适
的过渡金属Ni表面。过渡金属Ni的晶格常数和表面能会影响石墨烯生长
的方式和质量。通过选择合适晶面和特殊取向的过渡金属Ni晶体，可以
提高石墨烯的生长质量。其次，调节外界环境。温度和气氛的选择对于
石墨烯的生长至关重要。合适的温度和低氧或无氧的条件有助于促进石
墨烯生长和提高产率。此外，添加适量的外界气体如氢气可以有效地抑
制杂质的污染和促进石墨烯生长。
4.结论与展望
本文对过渡金属Ni表面石墨烯生长的机理进行了理论研究，并探讨
了石墨烯生长条件的优化方案。通过深入理解过渡金属Ni表面石墨烯生
长机理，可以为石墨烯的大规模制备和应用提供理论指导。同时，我们
还需要进一步研究过渡金属Ni表面石墨烯生长的动力学过程和影响因素，
以进一步完善对石墨烯生长机理的认识。
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