高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层上.pdfVIP

高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层上--第1页

“半导体技术”2008年第一期

趋势与展望器件制造与应用

1-高k材料用作纳米级MOs晶体管51-SiGeHBT低频噪声PSPICE模拟分析

栅介质薄层（上）翁妍，汪辉沙永萍，张万荣

56-逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结

技术专栏（电路设计技术）2DEG特性的影响

6-显示控制CMOS锁相环频率合成器设计李若凡，武一宾，马永强，等

张涛，邹雪城，沈绪榜59-表面处理与离子注人对GaNHEMT

11-高速低功耗钟控比较器的设计肖特基特性的影响

李亮，减佳锋，徐振，等宋建博，杨瑞霞，张志国，等

15-基于TCAD软件的单层多晶EEPROM62-5WSi衬底GaN基HEMT研究

器件模拟分析刘晨晖，冯震，王勇，等

邓勇，宣晓峰，许高斌，等65-槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

19-低功耗高动态范围CMOS图像传感器杨涛，刘肃，李思渊，等

的设计朱青云，卢结成，张小波，等

22-宽调节范围的二级压控振荡器工艺技术与材料

倪丹，戴庆元，叶君青，等68-VDSM集成电路互连特性及

25-基于MC68HC908RF2的RC延迟研究邝嘉，黄河

温度传感器杜吉龙73-磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能

30-用于时钟芯片的Pierce晶体振荡器设计张丛春，刘兴刚，石金川，等

刘惩，李冰77-退火温度对Cu膜微结构与电阻率

35-适用于半速率CDR改进型VCO的设计的影响雏向东，赵海阔，吴学勇

与实现唐世民，何小威，陈吉华，等

39-基于宏模型的同步开关噪声仿真分析封装、测试与设备

蒋历国，施国勇80-QPSK非平衡性调制技术赵夕彬

42-基准电流源的小信号分析与设计83-可重构的低温共烧陶瓷电容高频等效电

冯春涛，冯全源，王错路模型李小珍，邢孟江，朱樟明，等

86-塑封双极型功率晶体管的失效

现代管理与案例分析霍玉杰，陈颖，谢劲松

46-半导体测试调度研究

张智聪，郑力，张涛

高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层上--第1页

高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层上--第2页

趋势与展望

1—高k材料用作纳米级MOS晶体管