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蓝宝石图形衬底制备与GaN基发光二极管的γ辐照

效应研究

随着人们对高效、节能、环保光电器件的需求越来越大，氮化物半

导体材料在光电领域的应用变得越来越广泛。其中蓝宝石图形衬底是研

究和制备氮化物半导体器件的重要基础。本文将介绍蓝宝石图形衬底制

备技术和GaN基发光二极管的γ辐照效应研究。

一、蓝宝石图形衬底制备技术

蓝宝石是一种重要的光学材料，因其晶体结构的完美性和化学稳定

性，而备受关注。蓝宝石图形衬底可用于制备氮化物半导体器件，且制

备成本相对较低，具有很好的走向产业化的前景。目前蓝宝石图形衬底

主要有三种制备方法，即Czochralski生长法、Kyropoulos生长法和Hem

法。其中Hem法制备蓝宝石图形衬底具有生长速度快、低气压下生长、

成本低和可重复性好等优点。

在制备过程中，需要先准备Hem生长炉，将蓝宝石晶体放入炉中，

在其顶部和底部附近加热，形成一定的温度梯度；接着将Yb2O3粉末放

在炉中心上方，形成一定的氧化镱压力，生成氧化铝蒸汽与蓝宝石晶体

反应生长。通过控制生长条件，如温度梯度、Yb2O3压力、降温速度等，

可获得高质量的蓝宝石图形衬底。

二、GaN基发光二极管的γ辐照效应研究

现代通信、照明、显示和生物医学等领域对氮化物半导体材料的应

用有很高的要求。然而在实际应用中，氮化物半导体器件通常会受到不

同波段光辐照的影响，例如γ射线。因此，研究GaN基发光二极管的γ辐

照效应，对于提高器件的抗辐照性能和稳定性具有重要意义。

研究发现，辐照会导致GaN基发光二极管中各种缺陷的形成和变化，

从而影响电学和光学性质。例如，辐照可导致激子寿命减少、量子效率

下降、发光光谱中峰值移动等。此外，器件的辐照剂量和辐照时间、温

度等也会对辐照效应产生影响。

针对这些影响，可以通过优化材料的组成和结构，或改善器件的电

学设计，来提高GaN基发光二极管的抗辐照性能。例如，采用多量子阱

结构可以提高GaN基发光二极管的电学性能和光学性能。同时，通过适

当调节器件的结构和制备工艺，也可以增强其抗辐照能力。

三、结论

蓝宝石图形衬底制备和GaN基发光二极管的抗辐照性能研究是氮化

物半导体器件研究的重要内容。蓝宝石图形衬底具有制备成本低、可重

复性好等优点，可以应用于氮化物半导体器件的制备。对GaN基发光二

极管的γ辐照效应研究可以提高其在实际应用中的可靠性和稳定性，具有

重要的研究价值和应用前景。