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题
目
双物质双栅隧穿场效应晶体管的数值仿真研究
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摘要
传统的隧穿场效应晶体管（TFET）在现实应用中存在致命的缺陷，它的较低的开态电流在很大程度上制约了它在各种设备上的各种实际应用性，那么目前怎样提升TFET的开态电流就成了当前急需要解决的问题。本文中设计了一种双物质双栅隧穿场效应晶体管(DMDG-TFET)与一种单物质双栅隧穿场效应晶体管（SMDG-TFET）结构，两者的结构差异只存在于DMDG-TFET与SMDG-TFET的栅极材料。DMDG-TFET在靠近源区域的地方的栅电极使用功函数比较低的金属材料作为隧穿电
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